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公开(公告)号：CN105891693A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610271015.0
申请日：2016-04-27
Applicant: 江南大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R19/00 , G01R31/2621 , G01R31/2632 , G01R31/2642 , G01R31/2831
Abstract: 本发明公开了一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法。该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流?电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测。本发明采用一种简单的方法实现了对应力引起的势垒层缺陷密度的检测，有助于分析GaN基HEMT器件的退化机制和退化过程。
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公开(公告)号：CN105891693B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610271015.0
申请日：2016-04-27
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法。该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测。本发明采用一种简单的方法实现了对应力引起的势垒层缺陷密度的检测，有助于分析GaN基HEMT器件的退化机制和退化过程。
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公开(公告)号：CN105870165A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610348582.1
申请日：2016-05-24
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0684 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/207
Abstract: 本发明公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In0.17Al0.83N势垒与GaN材料形成晶格匹配，通过逐层增加In组分，增加极化效应产生的二维电子气浓度，提高器件的饱和电流和输出功率。本发明在减少异质界面形成线性位错和抑制逆压电效应的同时，有效提高了InAlN/GaN HEMT器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN205666237U
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201620479048.X
申请日：2016-05-24
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In0.17Al0.83N势垒与GaN材料形成晶格匹配，通过逐层增加In组分，增加极化效应产生的二维电子气浓度，提高器件的饱和电流和输出功率。本实用新型在减少异质界面形成线性位错和抑制逆压电效应的同时，有效提高了InAlN/GaN HEMT器件的电学性能。
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