公开(公告)号：CN109065442A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810833801.4

申请日：2018-07-26

Applicant: 江南大学

Inventor： 闫大为 ,  羊群思 ,  赵琳娜 ,  陈雷雷 ,  顾晓峰

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26546 ,  H01L21/26586

Abstract: 本发明公开了一种利用氟离子(F+)注入的方法在GaN材料中诱导高浓度的可移动空穴的方法，形成空穴量子阱和二维空穴气(2DHG)，实现GaN材料的高效p型掺杂，与传统p掺杂的原理不同，该方法主要利用F+的强负电性调节价带和费米能级之间的相对位置来实现的，器件结构包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层(含有氟离子注入)，其中，n型氮化镓半导体层上设置有金属电极，本发明利用离子注入电负性极强的F+在氮化镓内诱导出高浓度的2DHG来提供可移动空穴，与现有的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度可精确调控，其制备过程简易，成本较低。

公开(公告)号：CN107221565A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710368026.5

申请日：2017-05-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 闫大为 ,  羊群思

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/66212

Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法，包括步骤：A、在同质GaN衬底上外延生长浓度为4.1x1016cm‑3的n型GaN掺杂层；B、在外延层上制备欧姆接触电极层；C、在外延片上覆盖二氧化硅钝化层，刻蚀出离子注入区域；D、通过离子注入机注入氟离子；E、在离子注入区域上方制备肖特基电极层。本发明还公开了制备得到的肖特基二极管。该制备方法过程中采用了离子注入氟一方面提高n‑GaN与肖特基金属之间的内建势垒高度，从而有效减低了器件的反向电流，实现高增益性能；另一方面通过照射波长为360‑365nm的紫外光，器件表现出类似紫外探测器的光生电流反应，光暗电流比可达107。