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公开(公告)号：CN109459622B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201811243641.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 江南大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明提供一种低功耗CMOS静噪检测器，包括：电平转换器、比较器模块和输出检测器模块。所述电平转换器包括基准电流源电路、电流镜电路和电平转换电路。所述电平转换器连接所述比较器模块；所述比较器模块连接所述输出检测器模块。所述电平转换器用于将差分输入信号转换为更容易进行比较的单端电压信号；所述比较器模块用于比较电压信号；根据两个差分比较器的结果，所述输出检测器模块的输出指示输入是否为有效数据。本发明减小了电路面积，显著降低了静噪检测器的功耗。
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公开(公告)号：CN109065442A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810833801.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 江南大学
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26546 , H01L21/26586
Abstract: 本发明公开了一种利用氟离子(F+)注入的方法在GaN材料中诱导高浓度的可移动空穴的方法，形成空穴量子阱和二维空穴气(2DHG)，实现GaN材料的高效p型掺杂，与传统p掺杂的原理不同，该方法主要利用F+的强负电性调节价带和费米能级之间的相对位置来实现的，器件结构包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层(含有氟离子注入)，其中，n型氮化镓半导体层上设置有金属电极，本发明利用离子注入电负性极强的F+在氮化镓内诱导出高浓度的2DHG来提供可移动空穴，与现有的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度可精确调控，其制备过程简易，成本较低。
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公开(公告)号：CN103457603B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201310406729.4
申请日：2013-09-09
Applicant: 江南大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于平均频谱测试ADC动态参数的方法。该方法基于ADC测试系统采集到的数字信号样本点来测试，包括以下步骤：初始化设置输入模拟信号源及采样时钟源的频率、谐波阶数、采集样本点组数和样本点大小；ADC性能测试程序接收采集的样本点，并对各组样本点分别进行预处理；选择合适的窗函数对指定样本点做截断处理；ADC性能测试程序对处理后的几组样本点分别进行FFT变换得到频谱图，并将得到的频谱图叠加求得平均频谱图；基于平均频谱图确定基波能量、谐波能量、直流能量及噪声能量，根据主要动态参数计算公式计算各项参数，并显示测试结果。本发明能快速、准确地检测ADC动态参数是否合格，有效抑制频谱泄露带来的测试误差。
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公开(公告)号：CN104036821B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410267030.9
申请日：2014-06-12
Applicant: 江南大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/12
Abstract: 本发明公开了一种改进型交叉耦合灵敏放大器，包括：电压预充平衡电路，PMOS交叉耦合放大电路，NMOS交叉耦合放大电路以及输出电路。所述电压预充平衡电路连接所述PMOS交叉耦合放大电路和NMOS交叉耦合放大电路；所述NMOS交叉耦合放大电路连接所述PMOS交叉耦合放大电路和输出电路。所述电压预充平衡电路用于预充平衡放大器输出端口信号，切断放大器输出通路；所述PMOS交叉耦合放大电路用于采集和快速放大位线上电压差；所述NMOS交叉耦合放大电路用于二次放大位线上电压差；所述输出电路将放大电路输出的差分信号转换为单端信号，同时增加后级驱动能力。
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公开(公告)号：CN104036821A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410267030.9
申请日：2014-06-12
Applicant: 江南大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/12
Abstract: 本发明公开了一种改进型交叉耦合灵敏放大器，包括：电压预充平衡电路，PMOS交叉耦合放大电路，NMOS交叉耦合放大电路以及输出电路。所述电压预充平衡电路连接所述PMOS交叉耦合放大电路和NMOS交叉耦合放大电路；所述NMOS交叉耦合放大电路连接所述PMOS交叉耦合放大电路和输出电路。所述电压预充平衡电路用于预充平衡放大器输出端口信号，切断放大器输出通路；所述PMOS交叉耦合放大电路用于采集和快速放大位线上电压差；所述NMOS交叉耦合放大电路用于二次放大位线上电压差；所述输出电路将放大电路输出的差分信号转换为单端信号，同时增加后级驱动能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103279104A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310204601.X
申请日：2013-05-28
Applicant: 江南大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明涉及一种基于ZigBee技术的楼宇大功率电器节能控制系统，包括：顺序连接的基于ZigBee技术组建的楼宇无线传感网、ZigBee网关、服务器、控制端，所述控制端包括基于Android系统的手机控制端和基于windows系统的个人计算机控制端。本发明将ZigBee技术这种短距离、低复杂度、低功耗、低数据速率、低成本的双向无线通信技术应用于楼宇大功率电器节能控制，通过基于Android系统的手机控制端和基于windows系统的个人计算机控制端可有效控制大功率电器，从而达到节能的目的，管理员通过该系统实时控制楼宇大功率电器运转状态。
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公开(公告)号：CN102723953A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210209281.2
申请日：2012-06-22
Applicant: 江南大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 一种可变类型的Sigma-Delta调制器，包括双向开关、开关电容积分器、有源RC积分器、量化器和反馈数模转换器，具有连续时间型和离散时间型两种类型的Sigma-Delta调制器工作模式。其中双向开关由用户根据实际需要进行选择，在高频领域可令双向开关选择连续时间型Sigma-Delta调制器完成调制器功能，避免由于离散时间型Sigma-Delta调制器中运算放大器带宽无法满足要求而导致调制器系统性能的下降；在低频领域可令双向开关选择离散时间型Sigma-Delta调制器完成调制器功能，避免由于连续时间型Sigma-Delta调制器中RC时间常数偏差噪声导致调制器系统性能的下降。
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公开(公告)号：CN114883413A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210549563.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该结构中的续流二极管由N型源极多晶硅和SiC的P型屏蔽区形成的异质结二极管，与沟道二极管两部分构成，正向导通时，续流二极管提前开启于体内的寄生体二极管，使得体二极管导通被抑制，避免了因为体二极管的退化而引起的可靠性问题；同时，该结构将沟槽底部P型屏蔽区接地，避免了传统结构中浮动P型屏蔽区电极引起的器件可靠性问题，提高了器件长期使用中可靠性，同时优化了栅极氧化物底部的电场分布。且基于P型屏蔽区的浓度设计，在满足续流二极管开启电压要求的同时，对MOSFET沟槽氧化物以及底部续流二极管起到保护作用。
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公开(公告)号：CN111599865A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010471662.2
申请日：2020-05-29
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种GaN基P沟道MOSFET及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明利用氟正离子注入氮化镓(GaN)后形成的二维空穴气(2DHG)能够在GaN表面层以下形成导电沟道的原理，将氟离子注入GaN制备出了一种GaN基P沟道MOSFET。本发明制备出的GaN基P沟道MOSFET与传统P沟道MOSFET相比，性能优越；同时，本发明采用的制备方法与传统P沟道MOSFET需要在N型衬底上利用扩散或离子注入掺杂出P型的源漏区并通过施加在栅电极的电压使栅氧化层下的半导体反型出P沟道的制备方法相比，制备工艺简单、易操作且重复性好，有效避免了P型掺杂。
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公开(公告)号：CN109459622A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811243641.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 江南大学
IPC: G01R29/26
CPC classification number: G01R29/26
Abstract: 本发明提供一种低功耗CMOS静噪检测器，包括：电平转换器、比较器模块和输出检测器模块。所述电平转换器包括基准电流源电路、电流镜电路和电平转换电路。所述电平转换器连接所述比较器模块；所述比较器模块连接所述输出检测器模块。所述电平转换器用于将差分输入信号转换为更容易进行比较的单端电压信号；所述比较器模块用于比较电压信号；根据两个差分比较器的结果，所述输出检测器模块的输出指示输入是否为有效数据。本发明减小了电路面积，显著降低了静噪检测器的功耗。
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