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公开(公告)号：CN108428629A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810307019.9
申请日：2018-04-08
Applicant: 江南大学
IPC: H01L21/283 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及利用F+离子注入实现氮化镓基发光二极管P型掺杂的方法。P型掺杂的GaN基LED外延片包括由下至上依次设置的图形化蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN成核层、u型GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱MQW有源层、低温P型GaN层、高温P型GaN层。其中低温P型GaN层和高温P型GaN层的掺杂均采用F+离子注入方法实现，采用的受主掺杂剂为F+离子，F+离子的入射能量为10keV，入射角度为7°，注入剂量为2×1013cm-2，本发明与现行的Si工艺兼容，注入F+离子的浓度和深度分布精确可控，且制备过程简单，成本低廉。
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