-
公开(公告)号：CN103107071A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310022838.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火40分钟。本发明中使用的硅基底是通过光刻技术标记过的，这样有利于我们找到选取的单根纳米带，从而达到精确掺杂单根纳米带的目的。掺杂之后的纳米带在未来制作纳米电子器件中将会有重要的应用。
-
公开(公告)号：CN102923647A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210477364.X
申请日：2012-11-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公布了一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法，该方法利用自组装紧密排布的纳米球层为模版，采用刻蚀法对纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米微球的间隙、尺寸大小和形貌；然后采用热蒸镀法在刻蚀后的纳米球层模板上沉积金属材料；去掉纳米球层后便可得到金属纳米颗粒有序阵列。本发明制备的金属纳米颗粒有序阵列排列整齐有序，呈现周期性重复，纳米颗粒大小基本一致。本发明方法技术可靠，工艺简单，成本低廉，可工业化生产高质量的间距与形貌可调控的有序排列的纳米颗粒。
-
公开(公告)号：CN117720101A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311561760.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 中核四0四有限公司 , 中核四0四成都核技术工程设计研究院有限公司 , 武汉大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种含有褶皱的石墨烯薄膜及其制备方法，包括以下步骤：(1)使用化学气相沉积法在金属基底表面制备单层石墨烯；(2)在单层石墨烯表面旋涂一层高分子支撑体，加热使高分子支撑体凝结；(3)使用离子刻蚀剂刻蚀金属基底；(4)待金属基底刻蚀后，使用湿法转移法转移至待用基底，去除高分子支撑体后最终得到含有褶皱的石墨烯薄膜。与现有技术相比，本发明采用物理方法制备得到了不含有其他官能团、不含缺陷的含有褶皱的石墨烯薄膜，工艺简单，制备时间大大缩短。
-
公开(公告)号：CN115863176A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211668435.4
申请日：2022-12-23
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/426
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p‑n同质结的方法。机械剥离得到少层二维材料，旋涂PMMA覆盖材料作为掩模层。利用电子束曝光和显影，暴露二维材料的选定区域，未暴露区域仍由PMMA覆盖。使用低能离子注入技术将掺杂离子注入到暴露的二维材料中，丙酮处理后获得横向p‑n同质结。快速热退火处理以修复注入带来的晶格损伤并激活掺杂离子。本发明通过低能离子注入对少层二维材料进行空间选区掺杂，成功实现对二维材料导电类型的调控，使其导电类型反转，并以此构建了二维横向p‑n同质结，此方法掺杂浓度和深度可控、掺杂面积均匀、掺杂过程无污染、掺杂元素种类丰富，为二维半导体空间选区掺杂改性提供了一条有效途径。
-
公开(公告)号：CN110269936A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810213285.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 武汉大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于近红外激光照射的左侧星状神经节抑制剂，利用水热法，分别通过调节银离子的量调节金纳米棒的长度、通过调节金纳米种子液的量调节金纳米棒的直径，精确控制得到纵向等离子体吸收峰在808nm附近、与近红外激光波长相匹配的金纳米棒。将金纳米棒表面用带巯基的聚乙二醇修饰，降低其生物毒性。将修饰后的金纳米棒注射入左侧星状神经节内部，在808nm近红外激光的照射下，修饰后的金纳米棒产生热量使左侧星状神经节温度升高，抑制了神经节的活性，降低其功能，本发明提供的左侧星状神经节抑制剂有望达到防治室性心律失常。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106350771B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610908041.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公布了一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，它是以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构，制备方法为：将金属钨纳米薄膜沉积在二氧化硅基底上，然后转移单层石墨烯到所述金属钨纳米薄膜的表面，之后交替沉积钨纳米薄膜和转移单层石墨烯，得到低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料。针对目前双金属的多层膜结构会使材料的热学性能大大降低，本发明提供了一种兼顾优秀的导热性能和抗辐照性能材料，其为以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构，不仅可以减小由于多层膜结构界面存在导致的热传导性能的下降，而且可以使材料保持优秀的抗辐照能力。
-
公开(公告)号：CN106350771A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610908041.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: C23C28/322 , C23C14/185 , C23C14/35 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C28/343 , C23C28/42
Abstract: 本发明公布了一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，它是以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构，制备方法为：将金属钨纳米薄膜沉积在二氧化硅基底上，然后转移单层石墨烯到所述金属钨纳米薄膜的表面，之后交替沉积钨纳米薄膜和转移单层石墨烯，得到低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料。针对目前双金属的多层膜结构会使材料的热学性能大大降低，本发明提供了一种兼顾优秀的导热性能和抗辐照性能材料，其为以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构，不仅可以减小由于多层膜结构界面存在导致的热传导性能的下降，而且可以使材料保持优秀的抗辐照能力。
-
公开(公告)号：CN103903664B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410154451.0
申请日：2014-04-17
Applicant: 武汉大学
IPC: G21F1/00
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照多孔纳米膜，属于先进核能材料应用领域。其具有贯通表面的纵向纳米孔道，所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米，所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离，并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。利用多孔纳米膜丰富孔道，可以吸收辐照所产生的间隙原子、空位、嬗变气体等缺陷，还能将气体原子释放到材料外，从而大幅度降低材料体内缺陷浓度，防止间隙原子、空位、嬗变气体的聚集形成原子团簇、空洞、气泡等，大大提高了材料的抗辐照肿胀、硬化、非晶化能力。
-
公开(公告)号：CN102963883A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210403067.0
申请日：2012-10-22
Applicant: 武汉大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法。利用离子注入技术，将能量为40～80kV碳离子注入到通过磁控溅射在SiO2/Si衬底上生长一层厚度为200nm的Ni薄膜。通过调控注入离子剂量和退火工艺来制备石墨烯。注入剂量范围为4×1015～2.4×1016ions/cm2,退火温度为800～1000℃。本发明方法整个过程简单，仅仅需离子注入和热退火处理两个过程就可以，有利于大规模生产石墨烯。并且可以控制热处理条件来控制石墨烯的层数。
-
公开(公告)号：CN102358783B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110212040.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 一种聚苯乙烯/金复合微球的制备方法，使用硅烷偶联剂对聚苯乙烯微球进行修饰，然后与氯金酸溶液混合并加热，进行离子层面的自组装，通过金氮键将金离子固定在聚苯乙烯微球表面，沸腾时再加入柠檬酸三钠，将吸附在氨基上的金离子原位还原，生成金纳米颗粒包裹聚苯乙烯微球的核壳结构。金颗粒的粒径及其在聚苯乙烯微球上的覆盖率具有一定的可控性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.017 seconds)
