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公开(公告)号：CN115863176A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211668435.4
申请日：2022-12-23
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/426
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p‑n同质结的方法。机械剥离得到少层二维材料，旋涂PMMA覆盖材料作为掩模层。利用电子束曝光和显影，暴露二维材料的选定区域，未暴露区域仍由PMMA覆盖。使用低能离子注入技术将掺杂离子注入到暴露的二维材料中，丙酮处理后获得横向p‑n同质结。快速热退火处理以修复注入带来的晶格损伤并激活掺杂离子。本发明通过低能离子注入对少层二维材料进行空间选区掺杂，成功实现对二维材料导电类型的调控，使其导电类型反转，并以此构建了二维横向p‑n同质结，此方法掺杂浓度和深度可控、掺杂面积均匀、掺杂过程无污染、掺杂元素种类丰富，为二维半导体空间选区掺杂改性提供了一条有效途径。
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