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公开(公告)号：CN118431085A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410506943.5
申请日：2024-04-25
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/425 , H01L29/78 , H01L29/24
Abstract: 本申请涉及一种基于铁掺杂β‑Ga2O3衬底的MOSFET器件及制备方法，其包括：在铁掺杂β‑Ga2O3衬底上进行离子注入，以形成具有施主离子的Ga2O3沟道层；在所述Ga2O3沟道层上所确定的源漏区域中进行离子注入，以形成具有掺杂离子的n型Ga2O3层；在所述n型Ga2O3层上形成第一金属电极层；在Ga2O3沟道层上进行沉积，以在所述第一金属电极层之间形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第二金属电极层。本申请不使用外延生长β‑Ga2O3薄膜，而是直接在Fe掺杂的绝缘β‑Ga2O3晶体衬底上调控其电学性能，使得制备MOSFET器件时可大幅降低生产成本和制备难度。
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公开(公告)号：CN103107071A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310022838.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火40分钟。本发明中使用的硅基底是通过光刻技术标记过的，这样有利于我们找到选取的单根纳米带，从而达到精确掺杂单根纳米带的目的。掺杂之后的纳米带在未来制作纳米电子器件中将会有重要的应用。
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公开(公告)号：CN102923647A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210477364.X
申请日：2012-11-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公布了一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法，该方法利用自组装紧密排布的纳米球层为模版，采用刻蚀法对纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米微球的间隙、尺寸大小和形貌；然后采用热蒸镀法在刻蚀后的纳米球层模板上沉积金属材料；去掉纳米球层后便可得到金属纳米颗粒有序阵列。本发明制备的金属纳米颗粒有序阵列排列整齐有序，呈现周期性重复，纳米颗粒大小基本一致。本发明方法技术可靠，工艺简单，成本低廉，可工业化生产高质量的间距与形貌可调控的有序排列的纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN119530907A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411497984.9
申请日：2024-10-25
Applicant: 武汉大学
IPC: C25D3/44 , C25D5/36 , C25F3/06 , C25D5/48 , C23C10/28 , C23C8/10 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了涂层材料技术领域的一种复合阻氚涂层及其制备方法，通过电化学镀铝，渗铝结合原位氧化的方法在不锈钢表面制备了FeAl/Al2O3阻氚涂层，并通过原子层沉积技术在FeAl/Al2O3阻氚涂层的表面沉积具有周期性厚度特征的纳米多层膜，得到复合阻氚涂层；其中，所述纳米多层膜包括交替沉积的第一纳米膜和第二纳米膜，所述第一纳米膜包括TiO2纳米膜或HfO2纳米膜，所述第二纳米膜包括Al2O3纳米膜或ZrO2纳米膜。本发明提供的复合阻氚涂层的制备方法制备的复合阻氚涂层减小了缺陷对涂层性能的影响，综合提升了复合阻氚涂层的阻氚性能，且适用于大型复杂样品表面的涂层制备，因此适用于工程化阻氚涂层的制备。
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公开(公告)号：CN118723942A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410803760.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了石墨相氮化碳的制备方法及光催化分解水制氢的催化剂。本申请涉及催化剂技术领域，所述石墨相氮化碳的制备方法包括以下步骤：将三聚氰胺煅烧，得第一产物；将第一产物SPS法烧结，得第二产物；将第二产物与水混合球磨、超声、离心、冷冻干燥，得石墨相氮化碳；其中，煅烧的温度为400～500℃。通过以三聚氰胺为原料，煅烧的温度优选为400～500℃，能够保证三聚氰胺充分反应形成石墨相氮化碳结构基元的第一产物，并且避免在此步骤形成石墨相氮化碳。SPS烧结能够保持形成后的石墨相氮化碳的结构，增加样品的结晶性，穿过的放电等离子体使石墨相氮化碳产生了大量的碳、氮空位，得到了均匀的高结晶含缺陷的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118127469A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410147969.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种多渗层金属构件以及在不锈钢基底上低温制备α‑Al2O3/Fe‑Al复合渗层的方法，该多渗层金属构件依次包括不锈钢基底、Fe‑Al梯度渗层、Cr2O3@α‑Al2O3渗层；Cr2O3@α‑Al2O3渗层中Cr2O3的尺寸为5~15 nm，Al和Cr的原子比为5~1：1；该多渗层金属构件具有良好的阻氢同位素渗透性能，在500℃下的氘渗透阻止因子值高达8892，600℃的氘渗透阻止因子值仍能保持1700。本发明先在不锈钢基底上形成Fe‑Al梯度渗层，抛光除去表面的Fe2Al5层后利用直流磁控溅射法在抛光的Fe‑Al梯度渗层表面溅射一层20~80 nm厚的Cr膜，最后在700~850℃下氧化，形成弥散有Cr2O3纳米粒子的α‑Al2O3层。该方法在低温下制备出了弥散有Cr2O3纳米粒子的α‑Al2O3层，解决了现有技术制备温度过高会对不锈钢基底带来潜在损伤的问题。
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公开(公告)号：CN106979943B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710393238.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度表面增强拉曼散射基底的制备方法，属于用于光谱分子检测材料应用领域，该方法利用离子束辐照方法在半导体禁带内引入一系列氧空位能级，从而增加了半导体能带内能级与匹配的分子能级间的光激发电荷的转移传输效率，极大地提高了检测物分子的拉曼信号强度；离子束辐照与真空退火工艺相结合进一步提高了分子拉曼信号强度，获得了当前国际所报道的所有半导体材料中的最高灵敏度,甚至可以与无热点的贵金属材料性能相比拟。本发明方法同其他制备方法相比的最大优势在于技术成熟，适合工业化生产，可以进行高灵敏度非金属表面增强拉曼散射基底材料的大面积制备，此外，制备的产品价格低廉且检测信号稳定均一。
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公开(公告)号：CN106979943A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710393238.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度表面增强拉曼散射基底的制备方法，属于用于光谱分子检测材料应用领域，该方法利用离子束辐照方法在半导体禁带内引入一系列氧空位能级，从而增加了半导体能带内能级与匹配的分子能级间的光激发电荷的转移传输效率，极大地提高了检测物分子的拉曼信号强度；离子束辐照与真空退火工艺相结合进一步提高了分子拉曼信号强度，获得了当前国际所报道的所有半导体材料中的最高灵敏度,甚至可以与无热点的贵金属材料性能相比拟。本发明方法同其他制备方法相比的最大优势在于技术成熟，适合工业化生产，可以进行高灵敏度非金属表面增强拉曼散射基底材料的大面积制备，此外，制备的产品价格低廉且检测信号稳定均一。
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公开(公告)号：CN103933902B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410197439.8
申请日：2014-05-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法，属于纳米材料领域。一种二元有序胶体晶体的制法为：将粒径不同的聚苯乙烯纳米微球的乳液混合均匀，形成混合乳液加入无水乙醇，混合均匀，形成混合溶液；将混合溶液引流至去离子水表面上，加入SDS，形成密排胶体晶体薄膜后，将薄膜转移至亲水性衬底上，即得二元有序胶体晶体。该方法简单易行，制备的二元有体晶体有序度高。将本发明提供的二元有体晶体经过等离子体刻蚀和真空镀膜，即得金属纳米阵列。其优点是：工艺简单、操作方便，成本低廉。
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