一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115240941A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210929600.0

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料,由两种稀土元素Pr和Gd,以及Co元素组成,先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物,再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带,即零场冷室温交换偏置永磁材料;原子配比满足1:3,化学式为Pr1‑xGdxCo3,x的取值范围为0.2≤x≤0.8;居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间;相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括:1,铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备;2,零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用,在室温条件下,当外磁场为2 T时,矫顽力为1.37‑12.88 kOe;交换偏置场为0.2‑5.38 kOe;在10 K条件下,当外磁场为5 T时,矫顽力为16.47‑36.23 kOe;交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为,具有矫顽力大,零场冷条件下交换偏置场强,温度稳定性好,工艺简单的特点。

    一种(Pr,Gd)Co永磁材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110634638B

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201910929705.4

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种(Pr,Gd)Co永磁材料,由Co和稀土Pr、Gd为原料,经熔炼和热处理制备得化学式为(Pr1‑xGdx)Co2的Laves相永磁材料,其中,化学式中的x值满足0.2≤x≤0.6;所得材料具有MgCu2型立方的晶体结构;居里温度为54‑254K,在低于居里温度时,饱和磁化强度为8.2‑63Am2/kg,矫顽力0.167‑0.73T。其制备方法包含以下步骤:1)原料的熔炼,按照化学式称量Co和稀土Pr、Gd,经熔炼制备成(Pr1‑xGdx)Co2合金;2)材料的热处理,通过热处理形成稀土原子与钴原子满足物质的量之比为1:2稳定相。本发明永磁材料具有:工作温度可调控,矫顽力大,工艺简单,原料廉价,总体制备成本低的特点,适合工业生产。

    一种单相铑基合金磁制冷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111778425A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010637783.X

    申请日:2020-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料,化合物通式为R3Rh2,其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种,其成分为单相;所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤:1)铑基合金磁制冷合金锭的熔炼;2)铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用,为二级相变材料,不存在热滞;磁熵变值在0-5 T磁场下的范围为14-20 J kg-1K-1,制冷量为达380-390 J/kg。本发明具有以下优点:单相性好;是单一的二级相变材料,且磁转变温度附近只发生磁结构转变,不存在热滞;是非常理想的低温区磁制冷材料;并且工艺简单,适于工业化生产。

    一种具有高饱和磁化强度的稀土高熵合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111719076A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010698014.0

    申请日:2020-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料,以Gd、Tb、Ho和Er为原料,经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr,具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料;元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用,具有磁相转变特性,在低于奈尔温度时,饱和磁化强度达到290-300 emu/g;以高熵合金GdTbHoEr为基体,通过加入La与Y,在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度,在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有:磁化强度大且存在温区宽,成分可调,奈尔温度可调,工艺简单且多样化,总体制备成本低的特点,适合工业生产。

    一种具有可逆热光调制特性的材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110467456A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910869669.7

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 本发明公开了一种具有可逆热光调制特性的材料,采用Na2CO3、Li2CO3、TiO2、Ba2CO3和Bi2O3为原料,通过固相烧结法制备成以Bi0.5Na0.5TiO3和BaTiO3为主体材料,以LiBiO3为掺杂材料的具有可逆热光调制特性的材料,其化学式为:(1-x)(Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3)-xLiBiO3,其中0.001≤x≤0.009;具有光致变色响应特性,10s内迅速着色,且具有良好的可逆性,在热刺激条件下即可脱色,恢复到初始状态。其制备方法包括以下步骤:1)原料的准备;2)材料的预烧;3)具有可逆热光调制特性的材料的烧结。本发明的优点是:所制备的材料具有光致变色响应特性,10s内迅速着色,具有良好的可逆性,在180-200℃热刺激下10-30min可恢复到初始状态,合成步骤简单,原材料价格便宜,不需额外引入着色剂。

    一种锂、锑掺杂的碱金属铌酸盐微纳米线材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107758742A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201711116853.1

    申请日:2017-11-13

    CPC classification number: C01G33/00 C01P2004/03 C01P2004/16

    Abstract: 本发明公开了锂、锑掺杂的碱金属铌酸盐微纳米线材料,是以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、BaCO3、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3为原料,按照化学式(0.94-x)KyNa(1-y)NbO3-xBaBiO3-0.06LiSbO3进行配料,其中0.016≤x≤0.080,0.4≤y≤0.6,经传统陶瓷工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤:1)所有原料烘干,除去水分;2)按化学式的成分质量比称取原料,进行球磨;3)将球磨之后的粉料取出、烘干、预烧;4)然后将预烧后的粉料再次进行第二次球磨;5)将二次球磨后的粉料取出、烘干、压制成圆坯;6)将压制好的圆坯在一定条件下保温处理即可。本发明的优点是采用了简单低成本的陶瓷工艺,即传统的固相烧结工艺进行制备;锂、锑元素的加入有效降低了碱金属铌酸盐微纳米线的生长温度,降低了能量消耗,从而降低了生产成本。

    一种宽温区压电性能稳定的铌酸钾钠基单晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN118127633A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410349050.4

    申请日:2024-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种宽温区压电性能稳定的铌酸钾钠基单晶,以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Al2O3、Bi2O3和Li2CO3为原料,采用无籽固相晶体生长法,经一次细化球磨、预烧、二次细化球磨和烧结,即可制备Li2O掺杂的铌酸钾钠基单晶;只存在K0.5Na0.5NbO3相,没有杂相;由单晶区和陶瓷区组成,单晶区为单一的致密结构,表面有略微的突起和起伏;晶坯比为38.2%。其制备方法包括以下步骤:1,原料的一次细化球磨;2,一次球磨料的预烧;3,一次预烧料的二次细化球磨;4,二次球磨料的烧结。作为压电材料的应用,其特征在于:所述铌酸钾钠基单晶的压电常数d33为377pC/N,四方相温度范围为138‑423℃。

Patent Agency Ranking