公开(公告)号：CN115240941A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210929600.0

申请日：2022-08-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  李志坤 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  李林 ,  赵景泰

IPC: H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2 T时，矫顽力为1.37‑12.88 kOe；交换偏置场为0.2‑5.38 kOe；在10 K条件下，当外磁场为5 T时，矫顽力为16.47‑36.23 kOe；交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。

公开(公告)号：CN114613589B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202210182570.1

申请日：2022-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  李志坤 ,  饶光辉 ,  朱伟豪 ,  杜玉松 ,  李林 ,  赵景泰

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/055

Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。

公开(公告)号：CN114613589A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210182570.1

申请日：2022-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  李志坤 ,  饶光辉 ,  朱伟豪 ,  杜玉松 ,  李林 ,  赵景泰

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/055

Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。

公开(公告)号：CN114512288A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210184945.8

申请日：2022-02-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  陈旺 ,  饶光辉 ,  李志坤 ,  朱伟豪 ,  李林 ,  杜玉松 ,  赵景泰

IPC: H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种永磁材料，属于永磁材料技术领域。本发明通过选择轻稀土Pr、Nd和Sm中的一种，与重稀土Dy或Gd配合，利用轻重两种稀土存在时引起的电子层的相互作用，能够与过渡族金属Co的电子层发生复杂的3d‑3d、3d‑4f、4f‑4f交换耦合作用，可以有效提高材料的永磁性能；而且通过控制两种稀土的比例可以使永磁材料获得均匀的固溶体组织，有效提高永磁材料的居里温度和矫顽力。