公开(公告)号：CN110634638A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910929705.4

申请日：2019-09-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  董培林 ,  饶光辉 ,  卢世翻 ,  熊家才 ,  李林

IPC: H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种(Pr,Gd)Co永磁材料，由Co和稀土Pr、Gd为原料，经熔炼和热处理制备得化学式为(Pr1-xGdx)Co2的Laves相永磁材料，其中，化学式中的x值满足0.2≤x≤0.6；所得材料具有MgCu2型立方的晶体结构；居里温度为54-254K，在低于居里温度时，饱和磁化强度为8.2-63Am2/kg，矫顽力0.167-0.73T。其制备方法包含以下步骤：1）原料的熔炼，按照化学式称量Co和稀土Pr、Gd，经熔炼制备成(Pr1-xGdx)Co2合金；2）材料的热处理，通过热处理形成稀土原子与钴原子满足物质的量之比为1:2稳定相。本发明永磁材料具有：工作温度可调控，矫顽力大，工艺简单，原料廉价，总体制备成本低的特点，适合工业生产。

公开(公告)号：CN110634638B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201910929705.4

申请日：2019-09-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  董培林 ,  饶光辉 ,  卢世翻 ,  熊家才 ,  李林

IPC: H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种(Pr,Gd)Co永磁材料，由Co和稀土Pr、Gd为原料，经熔炼和热处理制备得化学式为(Pr1‑xGdx)Co2的Laves相永磁材料，其中，化学式中的x值满足0.2≤x≤0.6；所得材料具有MgCu2型立方的晶体结构；居里温度为54‑254K，在低于居里温度时，饱和磁化强度为8.2‑63Am2/kg，矫顽力0.167‑0.73T。其制备方法包含以下步骤：1）原料的熔炼，按照化学式称量Co和稀土Pr、Gd，经熔炼制备成(Pr1‑xGdx)Co2合金；2）材料的热处理，通过热处理形成稀土原子与钴原子满足物质的量之比为1:2稳定相。本发明永磁材料具有：工作温度可调控，矫顽力大，工艺简单，原料廉价，总体制备成本低的特点，适合工业生产。

公开(公告)号：CN111719076A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010698014.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  卢世翻 ,  饶光辉 ,  王江 ,  杜玉松 ,  李林 ,  赵景泰

IPC: C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  H01F1/147

Abstract: 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料，以Gd、Tb、Ho和Er为原料，经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr，具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料；元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用，具有磁相转变特性，在低于奈尔温度时，饱和磁化强度达到290-300 emu/g；以高熵合金GdTbHoEr为基体，通过加入La与Y，在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度，在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有：磁化强度大且存在温区宽，成分可调，奈尔温度可调，工艺简单且多样化，总体制备成本低的特点，适合工业生产。