公开(公告)号：CN115537738B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202211319048.X

申请日：2022-10-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张鑫 ,  杨瑞鑫 ,  崔梦范 ,  王松伟 ,  李林 ,  赵景泰 ,  饶光辉

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01F41/20 ,  C04B35/01 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高剩磁比高矫顽力的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法，该方法选用了SrTiO3(111)衬底，Sr3Al2O6作为缓冲层，得到结构为BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3的异质结薄膜。其制备方法包括以下步骤：（1）使用脉冲激光沉积系统（PLD）在SrTiO3(111)衬底上沉积作为缓冲层的Sr3Al2O6薄膜。（2）使用脉冲激光沉积系统在Sr3Al2O6/SrTiO3异质结结构上沉积M型铁氧体BaFe12O19薄膜。本实验以Sr3Al2O6作为缓冲层，制备了BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3异质结薄膜。后续的磁性结果显示，材料的剩磁比高达0.97，矫顽力增加至15 kOe，这使得该材料在微波吸收、垂直磁记录、永磁等方面具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115537738A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211319048.X

申请日：2022-10-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张鑫 ,  杨瑞鑫 ,  崔梦范 ,  王松伟 ,  李林 ,  赵景泰 ,  饶光辉

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01F41/20 ,  C04B35/01 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高剩磁比单一取向的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法，该方法选用了（111）晶向的SrTiO3单晶基片作为沉积薄膜的基底，Sr3Al2O6作为薄膜缓冲层，得到结构为BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3的异质结薄膜。其制备方法包括以下步骤：（1）使用脉冲激光沉积系统（PLD）在单晶SrTiO3(111)衬底上沉积Sr3Al2O6薄膜层。（2）使用脉冲激光沉积系统在Sr3Al2O6/SrTiO3异质结结构上沉积BaFe12O19薄膜层。本实验以Sr3Al2O6作为缓冲层，制备了BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3异质结取向膜。后续的磁性结果显示，材料的剩磁比高达0.97，矫顽场增加至15 kOe，这使得该材料在微波吸收、垂直磁记录等方面具有广阔的应用前景。