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公开(公告)号：CN111933705A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010620956.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了现有逆阻型IGCT由于阻断能力漏电较大、反向恢复关断能力低及通流能力低问题。对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区。
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公开(公告)号：CN115763450A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211524368.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本发明提供功率半导体器件封装结构，包括从上至下依次布置的管盖、晶闸管芯片、二极管芯片、GCT芯片和管座，其中管盖与管座之间设置有管壁，晶闸管芯片、二极管芯片和GCT芯片两侧均设置有钼片，位于晶闸管芯片上侧的钼片上设置有第一铜排，位于二极管芯片上侧的钼片上设置有第二铜排，位于GCT芯片上侧的钼片上设置有第三铜排，第一铜排和第三铜排的其中一端从管壁的同一侧伸出，晶闸管芯片上设置有门极针，与门极针连接的门极线和第二铜排的其中一端从管壁的另一侧伸出。本发明将功率半导体器件封装结构，将晶闸管芯片、二极管芯片和GCT芯片组合封装在一起，极大程度上减小了整个模块的体积。
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公开(公告)号：CN111933686B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010609729.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/744 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了标准型GCT芯片在过电压阻断状态时容易在芯片台面终端处失效，导致器件失效呈开路状态的问题。包括功能区和电压击穿区，电压击穿区靠近功率半导体器件的中心位置，被功能区环绕，包括依次层叠设置的第二导电类型短路结构和凸形第二导电类型基区，第二导电类型短路结构贯穿功能区的第一导电类型透明发射阳极和第二导电类型缓冲层；凸形第二导电类型基区贯穿第一导电类型第一基区、第一导电类型第二基区和第二导电类型区，在第二导电类型基区向第一导电类型基区的延伸方向上形成凸起部。
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公开(公告)号：CN114121827A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010898630.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本说明书一个或多个实施例提供一种绝缘垫块、半导体组件及绝缘垫块的设计方法，绝缘垫块包括：本体，所述本体的表面开有至少一个具有第一深度的第一凹槽和至少一个具有第二深度的第二凹槽，所述第一深度与所述第二深度不同；通过深度不同的第一凹槽和第二凹槽，能够满足放电间隙和爬电距离的要求，有效增加爬电距离，同时能够减小绝缘垫块的重量；本说明书的绝缘垫块的设计方法，能够实现绝缘垫块的标准化结构设计。
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公开(公告)号：CN112363040A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011187514.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供的一种功率半导体器件门极驱动检测电路及其控制方法，该电路包括门阴极电压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的门极和阴极之间的电压差；高压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的阳极和阴极之间的电压差；逻辑单元，用于在接收到所述外部控制系统发出的外部控制信号时输出第一控制信号，以及接收所述第一检测信号和所述第二检测信号并分别对所述第一检测信号和所述第二检测信号对应的电压差进行判断；触发单元，用于根据所述逻辑单元输出的控制信号生成触发信号，以控制所述功率半导体器件导通。检测电路组成元件简洁、可靠，不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220850B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111539836.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。
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公开(公告)号：CN111933705B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010620956.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了现有逆阻型IGCT由于阻断能力漏电较大、反向恢复关断能力低及通流能力低问题。对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区。
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公开(公告)号：CN111933588B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010592494.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种IGCT封装结构，包括环形门极、连接部件、弹性支撑部件和门极外接环。其中，连接部件的顶部与底部分别与环形门极和门极外接环连接，弹性支撑部件位于连接部件内。本发明提供的IGCT封装结构，能够在保证压力传递均匀的同时简化封装工艺流程，提高封装效率，并且有效缩短换流回路的迂回长度，从而有效降低换流回路的杂散电感的IGCT封装结构。
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公开(公告)号：CN112202435A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010839567.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及一种基于集成门极换流晶闸管的功率模块，涉及电力电子技术领域。本发明的基于集成门极换流晶闸管的功率模块，包括至少两个层叠设置功率子单元，由于相邻的功率子单元关于第一器件的上表面或下表面对称设置，因此可使相邻的第一导通结构中的电流方向相反，且相邻的第二导通结构中的电流方向也相反，而流向相反的电流产生的电磁感应会相互抵消一部分，从而实现降低回路杂散电感的目的。
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公开(公告)号：CN221727056U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202323413473.8
申请日：2023-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种用于IGCT组件的压装装置，涉及功率器件加工技术领域。本实用新型提供的压装组件包括：底座，底座安装有下压板，下压板用于支撑叠设的压装单元；架体，架体的底部与底座相连，架体的顶部设有加压件，加压件连接有上压板，加压件可驱动上压板上下移动，上压板与下压板相对设置，且位于压装单元的上方，上压板用于压装压装单元形成功率器件；安装于架体的分离机构，分离机构用于将部分功率器件升高，并使升高的功率器件与下方的功率器件分离。可将压装好的功率器件一部分抬高与下方的功率器件分离，降低了工作人员单次取件的总量，减轻了工作人员的取件难度。
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