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公开(公告)号:CN111952260A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010408972.X
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,包括:层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板;第一半导体元件,位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;第二半导体元件,位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接;以及密封体,密封第一半导体元件以及第二半导体元件,并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部,主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合,露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。
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公开(公告)号:CN111952259A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010408964.5
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 川岛崇功
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具有:层叠配置的上侧导电板、中间导电板及下侧导电板;第1半导体元件,其位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;以及第2半导体元件,其位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接。上侧导电板的面积和下侧导电板的面积的其中一个小于中间导电板的面积,上侧导电板的面积和下侧导电板的面积的其中另一个大于中间导电板的面积。
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公开(公告)号:CN111354710A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201911319896.9
申请日:2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:基板,其由绝缘体构成;第一导体膜,其设置在基板上的局部;半导体元件,其配置在第一导体膜上;以及外部连接端子,其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件,该主电极与第一导体膜接合,该信号电极与外部连接端子电连接。
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公开(公告)号:CN111354709A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201911319889.9
申请日:2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备:基板,其由绝缘体构成;第1导体膜,其设置于基板的一侧表面;半导体元件,其具有第1电极和第2电极,第1电极连接于第1导体膜;以及外部连接端子,其具有内端部分和外端部分,内端部分位于基板与半导体元件之间并连接于第2电极。外部连接端子还具有中间部分,该中间部分位于内端部分与外端部分之间并接合于基板的所述一侧表面。外部连接端子的中间部分与基板之间的距离比外部连接端子的内端部分与基板之间的距离大。
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公开(公告)号:CN105518841A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201480048461.4
申请日:2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2224/2612 , H01L2224/26175 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83007 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83815 , H01L2224/92242 , H01L2224/92247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(20),其包括:对置的第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54);多个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312),它们每个介于第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)之间;金属块(44、50、314、316),其介于第一金属板(36、56)和每个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)之间;焊料构件(46、52),其介于第一金属板(36、56)和金属块(44、50、314、316)之间并且将第一金属板(36、56)连接至金属块(44、50、314、316);以及注塑树脂(74),其密封半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)和金属块(44、50、314、316)。第一金属板(36、56)的一面,其为金属块(44、50、314、316)经由焊料构件(46、52)连接至第一金属板(36、56)的一面的对置侧,暴露于注塑树脂(74)外。第一金属板(36、56)具有沿着其中设置有焊料构件(46、52)的区域的外周形成的凹槽(70、72),凹槽(70、72)共同围绕焊料构件(46、52),以便防止焊料构件(46、52)在第一金属板(36、56)的黏结面上散布。每个半导体元件(26、30、206、210、306、310)可以是功率半导体开关元件,诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT),其在转换电功率时进行开关操作,以及每个半导体元件(28、32、208、212、308、312)可以是为了在中断对应的一个半导体元件(26、30、206、210、306、310)时循环电流所需要的回流二极管。
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公开(公告)号:CN111952260B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202010408972.X
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,包括:层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板;第一半导体元件,位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;第二半导体元件,位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接;以及密封体,密封第一半导体元件以及第二半导体元件,并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部,主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合,露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。
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公开(公告)号:CN117337491A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202280037247.3
申请日:2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置具备在两面具有主电极的半导体元件、在绝缘基材(51)的两面配置有金属体(52、53)的基板(50)、作为金属部件的输出端子(92)。输出端子(92)经由接合材料(104)而与连接着半导体元件的主电极的表面金属体(52)连接。输出端子(92)具有与表面金属体(52)的上表面(52a)对置的对置面(920)、以及与对置面(920)邻接设置的提供接合材料(104)的收容空间的收容部(921)。在对置面(920)与上表面(52a)接触的状态下,接合材料(104)被收容在收容部(921)内。
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公开(公告)号:CN117121202A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202280025411.9
申请日:2022-03-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种功率卡,具有高侧开关、低侧开关、覆盖树脂(600)和连接端子(500)。高侧开关和低侧开关在y方向上排列。这些开关和连接端子(500)的一部分被覆盖树脂覆盖。功率卡以在z方向上排列的方式设置于相对部(731)。相对部(731)具有沿x方向延伸的内部空间。制冷剂在该内部空间中沿x方向流动。
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公开(公告)号:CN115244689A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202080096322.4
申请日:2020-02-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本说明书公开的半导体装置具备第1半导体元件、第1导体板、第1绝缘层和导体电路图案。第1半导体元件具有设有第1电极及第2电极的一个表面和位于一个表面的相反侧的另一表面。第1导体板具有与第1半导体元件的一个表面对置的第1表面,在第1表面中与第1半导体元件的第1电极电连接。第1绝缘层设在第1导体板的第1表面上,将第1表面的一部分覆盖。导体电路图案设在第1绝缘层上。导体电路图案具有与第1半导体元件电连接的至少一个第1导体线路,至少一个第1导体线路包括与第2电极电连接的导体线路。
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公开(公告)号:CN108630652B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201810224113.8
申请日:2018-03-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/495 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上,设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内,并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时,金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。
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