公开(公告)号：CN111952270A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010408963.0

申请日：2020-05-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。

公开(公告)号：CN111354710A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911319896.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。

公开(公告)号：CN111952270B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202010408963.0

申请日：2020-05-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。

公开(公告)号：CN111354710B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201911319896.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。