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公开(公告)号:CN108885994A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780020497.5
申请日:2017-09-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为,上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。
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公开(公告)号:CN102272896A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201080004139.3
申请日:2010-01-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 该等离子体处理装置,包括:处理室,由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成,并具有反应室(α);支撑部(15),收容在所述反应室(α)内,载置有基板(10);簇射极板(5),收容在所述反应室(α)内,以与所述基板(10)对置的方式配置,并向所述基板(101)提供工艺气体;多个气体提供部(8),被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内,与多个气体导入口(34)分别连通,并被配置为同心状且环状,且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体;以及电压施加部(33),在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
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公开(公告)号:CN113261390A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201980087725.X
申请日:2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括:连接到高频电源的电极凸缘;簇射极板,与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极;设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽;处理室,在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板;电极框,安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧;以及滑动板,安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述簇射极板被形成为具有大致矩形轮廓。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动,而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述电极框具有:安装于所述电极凸缘的框状的上板面部;纵板面部,从所述上板面部的轮廓外侧整周朝向所述簇射极板竖立设置;以及下板面部,从所述纵板面部的下端以与所述上板面部大致平行的方式朝向所述上板面部的轮廓内侧端延伸。
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公开(公告)号:CN113261078A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201980087734.9
申请日:2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括:连接到高频电源的电极凸缘;簇射极板,与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极;设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽;处理室,在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板;电极框,安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧;以及滑动板,安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动,而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述簇射极板通过贯穿设置在所述簇射极板的周缘部的长孔的支撑部件而被支撑到所述电极框。所述长孔被形成为所述支撑部件对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够在所述长孔内相对移动。在所述长孔中设置有与所述长孔连通并供给吹扫气体的气孔。所述气孔与由所述簇射极板、所述电极凸缘、所述电极框和所述滑动板包围的空间连通。
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公开(公告)号:CN111601910A
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN201980006855.6
申请日:2019-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的真空处理装置进行等离子体处理,具有:电极凸缘,在腔室内与高频电源连接;簇射极板,具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面,所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极;处理室,面向所述簇射极板的所述第二面,并且供被处理基板配置;和支撑轴,与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路,该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室,并且具有规定的电导率,在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分,以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。
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公开(公告)号:CN109072423B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201780025519.7
申请日:2017-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的一个方式涉及的成膜用掩模具有一对第一板部和一对第二板部。上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有在第一轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有在上述第二轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。
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公开(公告)号:CN110291625A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201980001255.0
申请日:2019-01-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C16/44 , H01L21/31
Abstract: 本发明的加热器基座为用于支撑加热器的加热器基座,具备多个变位机构,所述变位机构配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上,多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于加热器基座变位。
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公开(公告)号:CN109477221A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780036633.X
申请日:2017-06-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 课题:提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。解决手段:本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁,所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围,电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体,所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为,能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。
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公开(公告)号:CN107665845A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710629887.4
申请日:2017-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67167 , H01L21/67196
Abstract: 本发明提供即使没有对手部的末端进行检测也能进行基板的准确的移动的基板搬运机器人。将手部(40)的定位指部(55)以在支承板(41)上配置石英板(42)的方式构成,在石英板(42)的根部部分处,设置被固定于支承板(41)的固定部(50)。石英板(42)的固定部(50)以外的部分未被固定于支承板(41),即使被加热而支承板(41)延伸,石英板(42)也不延伸,不存在被设置于石英板(42)的末端的末端侧限位器(56)由于热膨胀的移动。
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公开(公告)号:CN102272897A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201080004140.6
申请日:2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置,包括:处理室(101),具有反应室(2a);支撑部(15),被收容在所述反应室(2a)内,载置有具有处理室(10a)的基板(10),并控制所述基板(10)的温度;簇射极板(5),被收容在所述反应室(2a)内,以与所述处理室(10a)对置的方式配置,并向所述基板(10)提供工艺气体;以及压力调整板(51),将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b),所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
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