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公开(公告)号：CN104576476B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201410550430.0
申请日：2014-10-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板传送装置，其能够提高在传送因自重而变形的基板时的基板传送的精确度。本发明的一个实施方式所涉及的基板传送装置(1)具有机械手部(20)、多个定位垫(23a、23b、23c)和至少一个支承垫(24)。机械手部(20)具有用于放置能够因自重而变形的基板(W)的放置面(201)。多个定位垫(23a、23b、23c)以自放置面(201)起的第1高度(H1)支承放置在该放置面(201)上的基板(W)的周缘。至少一个支承垫(24)设置于放置面(201)，其支承放置在该放置面(201)上的基板W的下表面，具有高于第1高度(H1)的第2高度(H2)。
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公开(公告)号：CN102272896A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004139.3
申请日：2010-01-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
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公开(公告)号：CN113261390B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980087725.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述簇射极板被形成为具有大致矩形轮廓。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述电极框具有：安装于所述电极凸缘的框状的上板面部；纵板面部，从所述上板面部的轮廓外侧整周朝向所述簇射极板竖立设置；以及下板面部，从所述纵板面部的下端以与所述上板面部大致平行的方式朝向所述上板面部的轮廓内侧端延伸。
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公开(公告)号：CN112563158B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010933390.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
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公开(公告)号：CN110073484A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880004839.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272350B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080004227.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明提供一种等离子CVD装置，其真空室采用分体结构，喷射板很容易装到真空室内部或从中取出。本发明一个实施方式的等离子CVD装置(3)具有由第一和第二真空室部件(11、12)的接合体构成的真空室(10)。经由设置在第二真空室部件(12)的非接合面一侧的侧面(122)上的取出部(5)可将喷射板(61)从内部空间中取出。因此，喷射板(61)无需采用分体结构，也能容易地进行将该喷射板(61)装入真空室(10)的内部空间或从中取出的作业。
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公开(公告)号：CN102272895A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004120.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32743 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
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公开(公告)号：CN102272894A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004096.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
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公开(公告)号：CN102272893A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003989.1
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN102272350A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004227.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明提供一种等离子CVD装置，其真空室采用分体结构，喷射板很容易装到真空室内部或从中取出。本发明一个实施方式的等离子CVD装置(3)具有由第一和第二真空室部件(11、12)的接合体构成的真空室(10)。经由设置在第二真空室部件(12)的非接合面一侧的侧面(122)上的取出部(5)可将喷射板(61)从内部空间中取出。因此，喷射板(61)无需采用分体结构，也能容易地进行将该喷射板(61)装入真空室(10)的内部空间或从中取出的作业。
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