公开(公告)号：CN101644865A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910165701.X

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  紫垣匠

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。

公开(公告)号：CN101540332A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。

公开(公告)号：CN100444321C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200410098554.6

申请日：2004-12-09

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 波多野睦子 ,  本乡干雄 ,  矢崎秋夫 ,  田井光春 ,  野田刚史 ,  高崎幸男

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/02691 ,  C30B1/06 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1649109A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410091294.X

申请日：2004-12-01

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 本乡干雄 ,  矢崎秋夫 ,  波多野睦子 ,  野田刚史 ,  高崎幸男

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/20 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02691 ,  B23K26/0738 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。