公开(公告)号：CN101329485B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810108196.0

申请日：2008-05-30

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松村三江子 ,  宫泽敏夫 ,  佐藤健史 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。在TFT衬底SUB上形成与该衬底的表面平行层叠的第一透明电极(PSL1)、第二透明电极(PSL2)和第三透明电极(PSL3)这三个层，在第一透明电极(PSL1)与第二透明电极(PSL2)之间、第二透明电极(PSL2)与第三透明电极(PSL3)之间，形成2个液晶电容的辅助电容。该液晶显示装置能够针对由高精细化导致的像素电极的面积降低而形成充分的辅助电容。

公开(公告)号：CN101436112B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200810171100.5

申请日：2008-11-14

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 木下将嘉 ,  佐藤健史

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044

Abstract: 本发明提供一种画面输入型图像显示装置，其接触面板的各行(X方向)的信号线(SLO1)上所连接的电极焊盘(2A)的面积从左向右越来越小，各列(Y方向)的信号线(SLO1)上所连接的电极焊盘(2A)的面积在图1的从下向上方向越来越小。信号线(SLO3)上所连接的电极焊盘(2C)的面积从左向右越来越大，从上向下越来越大。信号线(SLO2)上所连接的电极焊盘2B的面积在每行是恒定的，在各列上从上向下面积越来越小。将信号线(SLO2)、信号线(SLO1)以及信号线(SLO3)的输出用检测电路进行运算，从而获得触摸位置的坐标。

公开(公告)号：CN101226311A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300421.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 河村哲史 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内，依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极，上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化，且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。

公开(公告)号：CN1574196A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310124570.3

申请日：2003-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 佐藤健史 ,  武田一男 ,  斋藤雅和 ,  后藤順 ,  大仓理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。

公开(公告)号：CN102759824B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210128870.8

申请日：2012-04-20

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 冨冈安 ,  国松登 ,  佐藤健史 ,  松森正树

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133707 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，在IPS方式的液晶显示装置中，提高透过率，提高画面的亮度。在有机钝化膜(106)上以整个平面方式形成对置电极(107)，在该对置电极(107)上隔着层间绝缘膜(108)形成具有狭缝的像素电极(109)，在该像素电极(109)上形成通过光取向进行取向控制的取向膜(110)。通过形成于有机钝化膜(106)上的接触孔(111)而TFT的源电极(104)与像素电极(109)进行连接。通过对接触孔(111)内的取向膜(110)进行光取向，将接触孔(111)内也设为用于图像形成的透过区域，从而能够提高透过率而提高画面的亮度。

公开(公告)号：CN102385203A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110261776.5

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 佐藤贵夫 ,  佐藤健史

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13606

Abstract: 本发明提供一种显示装置。该显示装置在由2条图像信号线和2条扫描信号线所围成的区域内具有2个像素，包括：第一虚设布线，其连接在上述2条图像信号线中的1条图像信号线上；和第二虚设布线，其连接在上述2条图像信号线(DL)中的、与上述第一虚设布线所连接的图像信号线不同的图像信号线(DL)上，上述第一虚设布线和上述第二虚设布线沿着上述区域(A)的外形延伸到上述2个像素之间的位置，并且进一步延伸成在上述2个像素之间各自的端部相对。

公开(公告)号：CN100592524C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710166857.0

申请日：2007-10-22

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松村三江子 ,  丰田善章 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法，通过做成具有能够削减注入和光刻的工序数的结构的薄膜晶体管，缩短了制造所花费的时间。栅极电极(GT)具有薄的下层金属(GMB)与上层金属(GMT)的层叠结构，保持电容(Cst)部分的上层电极取为仅有下层金属(GMB)。而且，使保持电容(Cst)的下部电极用注入通过薄的下层金属(GMB)与源极/漏极的注入同时进行。(PMOSTFT)的栅极电极也取为仅有下层金属(GMB)，利用相同的抗蚀剂进行源极/漏极的注入和阈值调整注入。通过将薄膜晶体管和保持电容取为这样的结构，能够削减1个光刻工序和1个注入工序，能以更短的时间、更低廉的价格获得用于图像显示装置的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN100543536C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710102222.4

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 丰田善章 ,  佐藤健史 ,  松村三江子

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种显示装置，谋求图像显示装置的低成本化。在绝缘基板上，具有多条栅极线、与上述多条栅极线矩阵状地交叉的多条信号线、以及多个薄膜晶体管，将多条栅极线取为层叠电极。由n沟道传导型和p沟道传导型这2种类型构成多个薄膜晶体管，一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线结构相同的层叠电极构成，另一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线的下层电极同层的电极构成。

公开(公告)号：CN101329466A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810108200.3

申请日：2008-05-30

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 佐藤健史

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133357

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其能够不增加制造工时来提高光反射区域中的显示质量。该液晶显示装置具有具备像素电极的像素，该像素电极经由以来自栅极信号线的扫描信号来驱动的薄膜晶体管，被提供来自漏极信号线的图像信号，上述像素在其区域内至少具有光反射膜，上述光反射膜与上述漏极信号线同层，在其表面上具有凹凸而形成，在覆盖上述光反射膜而形成的表面平坦化的绝缘膜的上表面形成上述像素电极，在上述绝缘膜中，夹着一层与上述光反射膜重叠、并与上述像素电极绝缘的电极。

公开(公告)号：CN100437906C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410059047.1

申请日：2004-07-29

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 武田一男 ,  佐藤健史 ,  斋藤雅和 ,  后藤顺

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。