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公开(公告)号：CN1197089C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00804146.6
申请日：2000-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/4091
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C2207/065
Abstract: 即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据，实现高速读出。通过分散地配置驱动开关，能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。
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公开(公告)号：CN1112732C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN97110214.7
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号：CN1409895A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN00816937.3
申请日：2000-12-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/0016 , H03K19/018521
Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。
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公开(公告)号：CN1202982A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN96198458.9
申请日：1996-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/108 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10882 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/90
Abstract: 在穿透半导体衬底(1)上层叠的介质膜(6、8、10和12)而制作的沟槽中,制作了由存储电极(19)、电容器介质膜(20)和平板电极(21)组成的电容器,而埋置的布线层(9和11)制作在电容器下方。由于电容器不是制作在半导体衬底之中而是在其上方,故有空间使电容器得以制作,且利用全局字线和选择线的布线层(9和11)减轻了制作布线的困难。由于与外围电路区中的布线(34)的下表面相接触的介质膜(32)的上表面延伸到了存储单元区中且与电容器(33)的侧面相接触,故显著地减小了外围电路区与存储单元区之间的台阶高度。
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公开(公告)号：CN1101755A
公开(公告)日：1995-04-19
申请号：CN94109104.X
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1906699A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200380110822.5
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器股份有限公司
IPC: G11C15/04
CPC classification number: G11C15/04 , G11C15/043
Abstract: 在由采用了存储电路(STC)和比较电路(CP)的存储单元构成的存储阵列中，将构成比较电路的多个晶体管中的、栅电极连接在检索线上的晶体管的源电极或漏电极的任一个电极与预充电到高电压的匹配线(HMLr)连接。而且，将匹配线判断电路(MDr)配置在预充电到低电压的匹配线(LMLr)上，根据信息的比较结果辨别在该匹配线内产生的比较信号电压。按照这种存储阵列的结构和动作，可以避免匹配线对内的检索线驱动噪声的影响，并以低功率且高速地进行比较动作。因此，能够实现可以用高速进行检索动作的低功率内容可寻址存储器。
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公开(公告)号：CN1204627C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02122083.2
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号：CN1171304C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN96198458.9
申请日：1996-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/108 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10882 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/90
Abstract: 在穿透半导体衬底(1)上层叠的介电膜(6、8、10和12)而制作的沟槽中，制作了由存储电极(19)、电容器介电膜(20)和平板电极(21)组成的电容器，而埋置的布线层(9和11)制作在电容器下方。由于电容器不是制作在半导体衬底之中而是在其上方，故有空间使电容器得以制作，且利用全局字线和选择线的布线层(9和11)减轻了制作布线的困难。由于与外围电路区中的布线(34)的下表面相接触的介电膜(32)的上表面延伸到了存储单元区中且与电容器(33)的侧面相接触，故显著地减小了外围电路区与存储单元区之间的台阶高度。
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公开(公告)号：CN1086842C
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：CN97110215.5
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极-沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号：CN1341262A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN00804146.6
申请日：2000-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/4091
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C2207/065
Abstract: 即便存储器阵列的电压低,读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内,并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据,实现高速读出。通过分散地配置驱动开关,能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。
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