公开(公告)号：CN1236186A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99106677.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  山本直树 ,  三谷真一郎 ,  花冈裕子

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4983

Abstract: 轻度氧化工艺技术,在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOS LSI中,向半导体晶片Al的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体,在难熔金属膜基本上不被氧化,且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下,进行热处理,以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。

公开(公告)号：CN100364056C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410000801.4

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将第一主表面加热到高于第三温度的第四温度，在第二湿氧化气氛下对第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。

公开(公告)号：CN1290163C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200410000599.5

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将晶片引入到氧化炉的单晶片热处理室中；(b)在其中引入了晶片的热处理室中，用氮气替换气体环境；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)一边保持湿气为气态，一边将如此制备的湿气转移至热处理室中，以在热处理室内的晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在热处理室中的湿氧化气氛中对晶片的第一主表面上或上方的硅部件进行热氧化处理，以形成绝缘膜；(f)在步骤(e)之后，在其中引入了晶片的热处理室中，用氮气替换湿氧化气氛。

公开(公告)号：CN1187813C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN99106677.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  山本直树 ,  三谷真一郎 ,  花冈裕子

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4983

Abstract: 轻度氧化工艺技术，在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOS LSI中，向半导体晶片A1的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体，在难熔金属膜基本上不被氧化，且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下，进行热处理，以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。

公开(公告)号：CN1516900A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01822929.8

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  田边义和 ,  小粥敬成 ,  吉田武彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

Abstract: 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WNx膜24的形成，所述WNx膜24构成一个具有多金属结构的栅电极7A的阻挡层，从而在形成栅电极7A之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WNx膜24中的释放。

公开(公告)号：CN1508854A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200410000599.5

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(b)将所述如此制备的湿气转移至批量处理垂直氧化炉的晶片热处理室中，在所述室内的多个晶片周围形成湿氧化气氛，同时保持所述湿气为气态；并且(c)通过将所述晶片加热到高于所述第一温度的第二温度，在所述晶片热处理室中的湿氧化气氛中对各个所述晶片的第一主表面上方的硅部件进行热氧化。

公开(公告)号：CN1115720C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN98803082.9

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明的半导体集成电路器件的制造方法包括将含有由氢气和氧气通过催化作用产生的低浓度水的氧化反应物送到半导体晶片的主表面或附近，在足以确保形成氧化膜的精度和氧化膜厚度均匀性的氧化膜生长速率下，在半导体晶片的主表面上形成薄氧化膜作为MOS晶体管的栅绝缘膜，薄氧化膜的厚度为5nm以下。

公开(公告)号：CN1249850A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN98803082.9

申请日：1998-03-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  酒井哲 ,  夏秋信义

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明的半导体集成电路器件的制造方法包括将含有由氢气和氧气通过催化作用产生的低浓度水的氧化反应物送到半导体晶片的主表面或附近,在足以确保形成氧化膜的精度和氧化膜厚度均匀性的氧化膜生长速率下,在半导体晶片的主表面上形成薄氧化膜作为MOS晶体管的栅绝缘膜,薄氧化膜的厚度为5nm以下。