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公开(公告)号：CN105320161B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510463267.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供流量控制装置和流量控制方法，所述流量控制装置不设置用于检测压力变化的附加传感器，即使在阀的上游产生压力变化，也能够使其影响不表现在所述阀的下游，从而使流量持续稳定为设定流量值，所述流量控制装置包括：阀(3)；流量传感器(2)；阀控制部(41)，根据设定流量值与由所述流量传感器(2)测量出的测量流量值之间的偏差和设定的控制系数，以使所述偏差变小的方式控制所述阀；以及控制系数设定部(44)，设定所述阀控制部的所述控制系数，在所述阀(3)的上游产生扰动压力上升时，使与阀的开度的减少量相当的扰动流量减少量和与所述阀前后的压差的增加量相当的扰动流量增加量均衡。
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公开(公告)号：CN105247434B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201480031184.6
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 流量控制部包括：传感器模型存储部；输出流量模拟值的流量模拟值输出部，所述流量模拟值是当输入了流量设定值时所述传感器模型输出的流量值；反馈控制部，基于流量测量值和流量模拟值的偏差，输出流量反馈值；以及阀控制部，基于根据流量设定值计算出的流量前馈值和流量反馈值，控制向所述阀施加的阀施加电压，所述流量模拟值输出部在相对于流量设定值具有规定的时间延迟的状态下输出流量模拟值。
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公开(公告)号：CN107450612A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710395239.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G01F1/6965 , F16K37/005 , F16K37/0091 , G01F15/005 , G05B13/021 , G05D7/0629 , G05D7/0635
Abstract: 本发明提供流量控制装置和存储有流量控制装置用程序的存储介质。该流量控制装置具有良好的响应性，并且根据情况，操作者能够容易调整成与现有的流量控制装置等效的响应性。流量控制装置(100)对流体控制阀(3)进行反馈控制，使测量流量接近目标流量，该流量控制装置(100)具有：响应延迟输入部(43)，用于输入响应延迟设定值，所述响应延迟设定值是表示想要设定的响应延迟的值；以及响应延迟生成部(46)，根据所述响应延迟设定值生成所述反馈控制的响应延迟。
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公开(公告)号：CN105247434A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031184.6
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社堀场STEC
CPC classification number: G05D7/0635
Abstract: 流量控制部包括：传感器模型存储部；输出流量模拟值的流量模拟值输出部，所述流量模拟值是当输入了流量设定值时所述传感器模型输出的流量值；反馈控制部，基于流量测量值和流量模拟值的偏差，输出流量反馈值；以及阀控制部，基于根据流量设定值计算出的流量前馈值和流量反馈值，控制向所述阀施加的阀施加电压，所述流量模拟值输出部在相对于流量设定值具有规定的时间延迟的状态下输出流量模拟值。
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公开(公告)号：CN118412298A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410091898.1
申请日：2024-01-23
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供晶片温度控制装置、晶片温度控制方法及存储介质。本发明提供一种晶片温度控制装置，通过调整气体的压力来控制晶片的温度，预测将来的晶片温度，将晶片温度控制为目标温度，在被温度调整后的板载置晶片，向板与晶片之间供给气体，对晶片的温度进行控制，具备：压力调整器，调整气体的压力；附近温度传感器，测定晶片的附近温度；以及压力控制部，基于由附近温度传感器测定的附近温度和晶片的目标温度，通过模型预测控制对向压力调整器输入的压力操作量进行控制，压力控制部使用根据气体的压力求出的板与晶片之间的热传递率作为变量的模型，作为模型预测控制的预测模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117917757A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311310939.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供晶片温度控制装置、晶片温度控制方法和存储介质。在通过调整热传递气体的压力来控制晶片的温度的晶片温度控制装置中，能以足够的精度推定晶片温度并将晶片温度控制在目标温度，晶片温度控制装置包括：压力调整器(43)，调整热传递气体的压力；附近温度传感器(5)，测定晶片(W)的附近温度；温度推定观测器(10)，根据由附近温度传感器(5)测定的附近温度、以及输入压力调整器(43)的压力操作量或由压力调整器调整的压力，推定晶片(W)的温度；以及控制器(11)，根据设定温度和由温度推定观测器(10)推定的推定晶片温度，控制压力操作量。
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公开(公告)号：CN117730292A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280052970.9
申请日：2022-08-02
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D23/19
Abstract: 为了提供一种即便在对冷却器输入的冷却操作量受到变更的情况下也可以以充分的精度来推测晶圆温度并将晶圆温度控制为目标温度的晶圆温度控制装置，而包括：加热器(1)，根据所输入的加热操作量来对晶圆(W)进行加热；冷却器(2)，根据所输入的冷却操作量来对所述晶圆(W)进行冷却；附近温度测定器(3)，测定所述晶圆(W)的附近温度；温度推测观测器(4)，基于所述附近温度测定器(3)所测定的所述附近温度、以及对所述冷却器(2)输入的冷却操作量或所述冷却器所输出的冷却量，来推测晶圆温度；以及温度控制器(5)，控制所述冷却操作量，以使设定温度与所推测出的所述晶圆温度的温度偏差变小。
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公开(公告)号：CN114545984A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111314870.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D11/13
Abstract: 本发明为了提供相对于腔室内的气体的实际的分压而时间延迟小、得到准确的推定值、能实现比以往好的响应性及精度的分压控制的浓度控制系统，具备：流量控制装置(1)，设置在向腔室(CN)内供给气体的供给流道(SL)上，以使流过该供给流道(SL)的气体的流量成为输入的设定流量的方式进行控制；分压测定装置(2)，测定腔室内的气体的分压；观测器(3)，具备推定腔室(CN)内的气体的状态的模型(31)，该模型(31)被输入流入腔室的气体的流入流量及分压测定装置(2)的测定分压，输出腔室(CN)内的气体的推定分压；控制器(4)，基于设定分压及观测器(3)输出的腔室(CN)内的气体的推定分压，对流量控制装置(1)设定设定流量。
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公开(公告)号：CN113655815A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110510270.7
申请日：2021-05-11
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供流量比例控制系统、成膜系统、异常诊断方法和异常诊断程序介质，在将彼此并列设置的多条分流流道的流量控制为规定的分流比的流量比例控制系统中，为了能诊断是否发生了影响其分流比的系统异常，包括：分流比计算部(43)，在彼此不同的分流流道(1)的流体控制阀(3)关闭的状态下，计算使流体流过这些分流流道(1)而得到的流量传感器(2)的输出值的比例作为实际分流比；基准分流比存储部(44)，存储成为实际分流比的基准的基准分流比；以及异常诊断部(45)，通过将实际分流比和基准分流比进行比较来诊断系统异常。
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公开(公告)号：CN105320160A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510336629.8
申请日：2015-06-17
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供中继器以及流体控制和测量系统。为了能使流体设备小型化并能诊断流体设备的动作状态，中继器具备：第一端口，与流体设备连接；以及第二端口，与用户用信息处理装置连接，通过第一端口从流体设备接收流体关联数据并通过第二端口向用户用信息处理装置发送，或通过第二端口从用户用信息处理装置接收流体关联数据并通过第一端口向流体设备发送，中继器还具备与诊断流体设备的动作状态的诊断用装置连接的第三端口，通过第一端口从流体设备接收诊断动作状态的诊断用数据并通过第三端口向诊断用装置发送。
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