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公开(公告)号：CN101483186B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810186334.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：CN102891181A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210250285.5
申请日：2010-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地，提供了一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN102648524A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080045818.5
申请日：2010-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/45 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。
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公开(公告)号：CN101064346B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710100927.2
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 坂仓真之
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/1255 , H01L29/66757
Abstract: 本发明的目的在于减少由于半导体膜的沟道形成区域的端部的特性使晶体管的特性受到的影响。本发明的半导体装置的结构为，具有在衬底上的半导体膜的沟道形成区域上中间夹栅绝缘膜而形成的栅电极，且上述半导体膜配置在比上述绝缘膜的端部内侧的区域中，并且上述沟道形成区域的侧面至少不接触于上述栅绝缘膜。换言之，本发明的半导体装置具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜围绕而形成的空间。注意，其结构也可以为上述沟道形成区域的侧面不接触于上述栅电极，即，也可以具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜、上述栅电极围绕而形成的空间。
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公开(公告)号：CN101997036A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010248811.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/123 , G11C19/28 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100585905C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510055811.2
申请日：2005-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5234 , H01L51/5237
Abstract: 在采用发光元件的发光装置中，本发明提供了能够防止外界湿气进入并获得足够可靠性的密封结构。所述发光装置包括发光元件以及包括该发光元件的像素部分，所述发光元件包括位于第一电极和第二电极之间的发光层。像素部分的整个表面被第二电极覆盖。不透水的绝缘膜与发光元件的第一电极接触。第一电极的边缘和所述不透水的绝缘膜被分隔壁覆盖。在分隔壁上沿像素部分的外周形成开口。所述开口在厚度方向上贯穿分隔壁，其侧壁和底面被第二电极覆盖。
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公开(公告)号：CN1905165A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107657.3
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/127 , H01L21/0273 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5259
Abstract: 本发明的目的在于提供一种技术，以高成品率制造高可靠性的半导体器件和显示器件。本发明使用设置有衍射光栅图形或辅助图形的曝光掩模作为曝光掩模，所述辅助图形由半透膜构成并且具有光强度降低功能。当使用这种曝光掩模时，可以进一步正确地进行多种多样的曝光的控制，从而可以将抗蚀剂加工成进一步精密的形状。由此，在使用这种掩模层的情况下，可以通过相同的步骤以适合于所要求的性能的不同形状对导电膜或绝缘膜进行形状上的加工。因此，能够制造具有不同特性的薄膜晶体管和不同尺寸或形状的布线，而不增加步骤。
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公开(公告)号：CN1873933A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610092457.5
申请日：2006-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/1285 , H01L27/1288
Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。
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公开(公告)号：CN1862804A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610082690.5
申请日：2006-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/522 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1244 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , G09G3/2007 , G09G3/36 , G09G2300/0426 , G09G2310/0235 , H01L27/0255 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1274 , H01L27/3223 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78663 , H01L29/78675 , H01L2227/323 , H01L2924/13069
Abstract: 提供在相邻象素之间的绝缘膜被称为堤坝、隔板、势垒、堤防等，并被提供在薄膜晶体管的源布线或漏布线或电源线上方。确切地说，在提供于不同层中的这些布线的交叉部分处，形成了比其它部分更大的台阶。即使在用涂敷方法形成相邻象素之间的绝缘膜的情况下，也由于这种台阶而存在着局部形成薄的部分从而降低承受压力的问题。在本发明中，模拟材料被安置在大台阶部分附近，确切地说是各布线的交叉部分周围，以便减小其上形成的不平坦性。上部布线和下部布线以不对准的方式被安置，以便不对准端部。
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公开(公告)号：CN1684557A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510059473.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H05B33/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。
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