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公开(公告)号：CN117403206A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310835313.8
申请日：2023-07-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/34 , C23C16/455
Abstract: 提供一种新颖金属氧化物的沉积方法。使用分解温度高的前驱体，在将衬底加热至300度以上且500度以下的同时沉积金属氧化物。优选的是，在沉积中，在含氧气氛下作为杂质去除处理进行等离子体处理、微波处理或热处理。杂质去除处理也可以在照射紫外光的同时进行。金属氧化物通过反复交替前驱体的引入和氧化剂的引入来沉积。例如，优选的是，每进行前驱体的引入5次以上且10次以下时进行杂质去除处理。
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公开(公告)号：CN117355971A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280036466.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052
Abstract: 提供一种活性物质与电解质的界面接触良好的二次电池。该二次电池包括正极层、负极层以及位于正极层与负极层之间的电解质层，正极层包含正极活性物质及第一固体电解质，负极层包含负极活性物质及第二固体电解质，电解质层包含第三固体电解质及离子液体，离子液体浸渗在第三固体电解质的空隙中。二次电池能够折叠。
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公开(公告)号：CN116830283A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280012657.2
申请日：2022-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04
Abstract: 本发明的一个方式的目的是：实现一种能够实现二次电池的高容量密度化的制造方法；提供一种安全性或可靠性高的二次电池的制造方法。该二次电池的电极(正极、负极)的制造方法包括对电极赋予振动的振动处理工序及对电极施加压力来压缩电极所包含的活性物质层的加压工序，并且在进行上述加压工序之前进行振动处理工序。
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公开(公告)号：CN116057010A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054018.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B25/45
Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即便反复进行充放电结晶结构也不易崩坏的正极活性物质的制造方法。一种包含锂和过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂化合物、磷化合物和水的第一步骤；混合锂化合物、磷化合物及水形成第一混合物的第二步骤；对第一混合液加入第一水溶液调整pH形成第二混合液的第三步骤；对第二混合液混合铁(II)化合物形成第三混合液的第四步骤；加热第三混合液形成第四混合液的第五步骤；以及对第四混合液进行过滤、洗涤及干燥而获得复合氧化物的第六步骤。锂化合物、磷化合物、水及铁(II)化合物使用高纯度材料。
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公开(公告)号：CN115916705A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180050608.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G51/00
Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即使反复进行充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂源及过渡金属源的第一步骤；以及对锂源及过渡金属源进行研碎以及混合而形成复合材料的第二步骤，在第一步骤中，作为锂源准备99.99％以上的纯度的材料，作为过渡金属源准备99.9％以上的纯度的材料，在第二步骤中使用脱水丙酮进行研碎以及混合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646698B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210130042.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654
Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
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公开(公告)号：CN1941288B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200610139950.8
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 挂端哲弥
IPC: H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/02244 , C23C8/36 , C23C14/028 , C23C14/16 , C23C14/5826 , C23C14/5853 , C23C14/586 , C23C16/0263 , C23C16/20 , C23C16/56 , H01L21/02175 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/31683 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/13 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供能够使栅绝缘膜薄膜化而提高半导体装置的特性并且可以减少漏泄电流的半导体器件以及其制造方法。在本发明中，在多晶半导体膜(103a)上形成铝膜(121a)作为金属膜，通过对所述铝膜进行等离子体氧化处理，氧化所述铝膜来形成氧化铝膜(104)，并且，在所述多晶半导体膜(103a)和所述氧化铝膜之间形成氧化硅膜(100a)。
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公开(公告)号：CN119156719A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380034772.4
申请日：2023-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01G11/24 , H01G11/46 , H01M4/505 , H01M10/052
Abstract: 提供一种具有优异的充放电倍率特性的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。提供一种正极活性物质，在该正极活性物质中由XRD图案算出的晶粒尺寸为150nm以上，内部中的镍在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于第一表层部及第二表层部中的该比例，第二表层部中的选自钴及锰中的至少一个元素所占的原子个数在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于内部中的该比例，第一表层部中添加元素中的至少一个元素的浓度高于内部及第二表层部中的该浓度。
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公开(公告)号：CN117594784A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311027950.9
申请日：2023-08-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M4/505 , H01M4/62
Abstract: 提供一种充放电容量大的安全性高的正极活性物质及包括该正极活性物质的二次电池。该正极活性物质包含锂、过渡金属M、添加元素以及氧，在180℃以上且200℃以下的温度以及0.3MPa以上且2MPa以下的压力下，正极活性物质的粉末体积电阻率为1.0×105Ω·cm以上。该正极活性物质的中值粒径优选为3μm以上且10μm以下。
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公开(公告)号：CN117223137A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280031553.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052
Abstract: 提供一种容量高且充放电循环特性良好的锂离子二次电池。提供一种容量高的二次电池。提供一种在真空下形状变化少的二次电池。提供一种可弯曲二次电池。该二次电池包括正极活性物质以及电解质，正极活性物质为添加有镁的钴酸锂，镁在正极活性物质中具有从内部向表面提高的浓度梯度，电解质包含咪唑鎓盐，二次电池的可工作温度范围为‑20℃以上且100℃以下。
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