公开(公告)号：CN102891181B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210250285.5

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地，提供了一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN102498553B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201080041232.1

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN102891181A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210250285.5

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地，提供了一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN102648524A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080045818.5

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。

公开(公告)号：CN101233531A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027861.2

申请日：2006-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  渡边了介 ,  小山润

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体装置的制造方法，其包括：在第一衬底上形成晶体管的过程；在所述晶体管上形成第一绝缘层的过程；形成连接至所述晶体管的源极或漏极的第一导电层的过程；布置设有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着至所述第二绝缘层的过程；使所述第二绝缘层与所述第二衬底分离的过程；以及布置设有起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而使所述第一导电层电连接至所述第二导电层的过程。

公开(公告)号：CN105185837B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201510551447.2

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 沟道保护薄膜晶体管中,其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成,通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层,包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中,并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成,其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层,能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成,并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。

公开(公告)号：CN105679834A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610042276.5

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN105185837A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510551447.2

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

Abstract: 沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。

公开(公告)号：CN101916763B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201010237246.2

申请日：2006-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L24/97 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，即使在在支撑衬底之上形成半导体元件之后减薄或去除支撑衬底的情况下，也防止半导体元件受损并提高其生产速度。根据本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底的上表面之上形成多个元件组；形成绝缘膜以覆盖多个元件组；选择性地在位于在多个元件组中的两个相邻的元件组之间的区域中的绝缘膜中形成开口以露出衬底；形成第一膜以覆盖绝缘膜和开口；通过去除衬底露出元件组；形成第二膜以覆盖露出的元件组的表面；和在多个元件组之间切断以不露出绝缘膜。

公开(公告)号：CN102763202A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009914.9

申请日：2011-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  渡边了介 ,  津吹将志 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种实现了晶体管的小型化且电场集中被减轻的包括氧化物半导体的半导体装置。栅电极的宽度减小，并且源电极层和漏电极层之间的间隔减小。通过以栅电极为掩模，以自对准的方式添加稀有气体，而可以将接触于沟道形成区域的低电阻区域设置在氧化物半导体中。所以即使栅电极的宽度，即栅极布线的线宽度小，也可以以高位置精度设置低电阻区域，从而可以实现晶体管的小型化。