-
公开(公告)号：CN101728000A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910211814.9
申请日：2009-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01B1/00 , H01B1/06 , H01B13/00 , H01B5/14 , H01L29/786 , H01L29/24 , C03C17/22 , C04B41/85 , C01B21/20
CPC classification number: C23C14/5846 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C23C14/0057 , C23C14/0676 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法。提供了一种导电氧氮化物，包括：包含铟、镓和锌的氧氮化物；以及氢原子。由透明导电氧化物构成的电极因半导体装置的制造工序中的加热处理而容易晶化。使用其表面凹凸因晶化而变得明显的电极的薄膜元件容易发生短路，其结果是，元件的可靠性降低。本发明的一个方式的目的在于提供一种即使进行加热处理也不会晶化的透光导电氧氮化物及其制造方法。本发明人等发现掺杂了氢原子的包含铟、镓和锌的氧氮化物为即使进行350℃的加热处理也不会晶化的透光导电膜，据此解决了上述问题。
-
公开(公告)号：CN104934483B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510349006.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
-
公开(公告)号：CN107419225A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201611206269.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN103124805B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280000715.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN104934483A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510349006.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103290371A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310150088.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN103219394A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310138489.4
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种驱动电路及半导体装置，提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷（SiH4）以及氨（NH3）等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
-
公开(公告)号：CN101740632A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910220860.5
申请日：2009-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L27/02
CPC classification number: H01L29/66742 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及涉及半导体装置及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，将包含铟、镓、锌、氧和氮的缓冲层设置在氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间。
-
公开(公告)号：CN107419225B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611206269.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN104078471B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410329038.3
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.032 seconds)
