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公开(公告)号：CN103017795A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN101604530A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810173830.9
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN100405462C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510124691.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN101101957A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127878.1
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129
Abstract: 本发明提供一种可力求提高MR变化率和可靠性的磁阻效应元件、磁头、以及磁盘装置。其中，通过形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层，在该第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层，在该功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层，对该第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层，来构成磁阻效应元件的隔层。
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公开(公告)号：CN100350457C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200510087903.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有实质上磁化方向固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间、并且包括具有偶数原子层数的区域和具有奇数原子层数的区域的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，上述第1磁性层的磁化方向与上述第2磁性层的磁化方向大致正交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1758341A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510099817.X
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN1604355A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083163.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F41/32 , H01F41/325 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
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公开(公告)号：CN1106635C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中，软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件：∑(Ms×d×Hk)＞30〔T nm Oe〕，并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造，从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN1182262A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中,软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件:∑(Ms×d×Hk)>30[TnmOe],并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造,从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN100573670C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710101294.7
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有磁化方向实质上固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，在上述磁性隔离层中，在从接近上述第1磁性层的区域到接近上述第2磁性层的区域之间，自旋方向成为扭曲大约90°的状态。
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