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公开(公告)号：CN1498931A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104711.5
申请日：2003-10-31
IPC: C09G1/04
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。
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公开(公告)号：CN100416753C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510007566.8
申请日：2005-02-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/02074 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。
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公开(公告)号：CN1974636B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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公开(公告)号：CN100407392C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN03121185.2
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N21/8422 , G01N21/55 , G01R31/2656 , H01L22/12
Abstract: 一种通过光学测量判断样品上残留膜的方法，样品包括一个第一金属膜和一个绝缘膜，上述第一金属膜的反射度的变化取决于测量光波长，而上述绝缘膜在第一金属膜上方形成，残留膜是绝缘膜上方的第二金属膜，该方法包括：用测量光照射样品，以便测量从样品反射的光强度随测量光波长变化而改变的情况，因而得到一个反射度光谱曲线；及将反射度光谱曲线分成数个波长区，以便根据反射度光谱曲线的每个光谱区中的波形，判断在绝缘膜上方是否存在第二金属膜。
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公开(公告)号：CN1674224A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510071624.3
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02043 , B24B9/065 , B24B37/02 , H01L21/02021 , H01L21/30625
Abstract: 一种处理衬底的方法，其中包括，将表面活性剂或水溶性高聚物试剂施加到将要处理的衬底表面上；以及使衬底的周缘部分与抛光部件相对彼此滑动，以抛光衬底的周缘部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100366694C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200310104711.5
申请日：2003-10-31
IPC: C09G1/04
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。
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公开(公告)号：CN1652297A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510007566.8
申请日：2005-02-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/02074 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。
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公开(公告)号：CN1447112A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121185.2
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N21/8422 , G01N21/55 , G01R31/2656 , H01L22/12
Abstract: 一种通过光学测量判断样品上残留膜的方法，样品包括一个第一金属膜和一个绝缘膜，上述第一金属膜的反射度的变化取决于测量光波长，而上述绝缘膜在第一金属膜上方形成，残留膜是绝缘膜上方的第二金属膜，该方法包括：用测量光照射样品，以便测量从样品反射的光强度随测量光波长变化而改变的情况，因而得到一个反射度光谱曲线；及将反射度光谱曲线分成数个波长区，以便根据反射度光谱曲线的每个光谱区中的波形，判断在绝缘膜上方是否存在第二金属膜。
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公开(公告)号：CN100346451C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410046180.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/76808 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/10867
Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料或第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1974636A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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