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公开(公告)号:CN103811476B
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201310447385.1
申请日:2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/1815 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例,提供一种半导体器件,其包括:第一电导体;第二电导体;布置在第一电导体与第二电导体之间的第一半导体元件和第二半导体元件;第一功率端子(46a);第二功率端子(46a);信号端子(50);和块状绝缘体(52),所述块状绝缘体覆盖这些部件。绝缘体包括:平坦的底面,在所述平坦的底面中暴露出第一电导体和第二电导体;平坦的第一侧面(52a);第二侧面(52b);顶面(52d);第一端面(52e);和第二端面。第一功率端子、第二功率端子和信号端子分别从第一端面、第二端面和顶面向外延伸。绝缘体的第一端面、顶面和第二端面形成有分型线(54)。
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公开(公告)号:CN100418216C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200510128553.6
申请日:2005-11-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/34 , H01L2224/37147 , H01L2224/4847 , H01L2224/78301 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/37599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种通过不使用引线接合而进行对半导体元件的连接从而能够实现小型化的半导体封装及具有该半导体封装的半导体模块。具有:IGBT元件(20),在表面(21a)上具有射电极(22)、门电极(23)、以及射感电极,在背面(21b)上具有集电极(26);第1电极板(30),与IGBT元件(20)的表面(21a)对置设置,具有通过钎焊接合与射电极(22)连接的突起部;第2电极板(40),与IGBT元件(20)的背面(21b)对置设置,具有通过钎焊接合与集电极(26)连接的对置面(41b);绝缘基板(50),设在第1电极板(30)与IGBT元件(20)之间,具有通过钎焊接合与门电极(23)及射感电极连接的连接焊盘。
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公开(公告)号:CN103811476A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310447385.1
申请日:2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/1815 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例,提供一种半导体器件,其包括:第一电导体;第二电导体;布置在第一电导体与第二电导体之间的第一半导体元件和第二半导体元件;第一功率端子(46a);第二功率端子(46a);信号端子(50);和块状绝缘体(52),所述块状绝缘体覆盖这些部件。绝缘体包括:平坦的底面,在所述平坦的底面中暴露出第一电导体和第二电导体;平坦的第一侧面(52a);第二侧面(52b);顶面(52d);第一端面(52e);和第二端面。第一功率端子、第二功率端子和信号端子分别从第一端面、第二端面和顶面向外延伸。绝缘体的第一端面、顶面和第二端面形成有分型线(54)。
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公开(公告)号:CN103794585A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201310447264.7
申请日:2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4839 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L23/49562 , H01L23/50 , H01L25/072 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例,提供一种半导体功率转换器,其包括:彼此相对的第一电导体和第二电导体(34,36);第一半导体元件和第二半导体元件(38,40),其连结到第一电导体的第一连结面;第一凸电导体和第二凸电导体(44a,44b),其连结到第一半导体元件和第二半导体元件;结合部,其连结到第一凸电导体和第二凸电导体和第二电导体的第二连结面;功率端子(46a,46);信号端子(50);和封套(52),其密封组成构件。封套包括平坦的底面,所述平坦的底面与半导体元件垂直地延伸,并且在所述封套中暴露电导体的第一底面和第二底面。
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公开(公告)号:CN101399243A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200810161769.6
申请日:2008-09-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/492 , H01L23/051 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能减少制作工序的半导体封装以及半导体封装的制造方法。该半导体封装(1)具有:具有第1主面(11)以及第2主面(12)的半导体元件(10);设置在第1主面(11)侧的第1电极板(20);设置在第2主面(12)侧的第2电极板(30);以及设置在半导体元件(10)与第1电极板(20)之间的布线基板(40),通过使设置在第1电极板(20)上的突起部(22)的侧面的多个开口部(26)、与设置在将布线基板(40)的突起部(22)贯入的贯入口(43)的内侧面并且与开口部(26)对应的多个卡合部(45)分别卡合来构成半导体封装(1)。
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公开(公告)号:CN1783471A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510128553.6
申请日:2005-11-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/34 , H01L2224/37147 , H01L2224/4847 , H01L2224/78301 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/37599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种通过不使用引线接合而进行对半导体元件的连接从而能够实现小型化的半导体封装及具有该半导体封装的半导体模块。具有:IGBT元件(20),在表面(21a)上具有射电极(22)、门电极(23)、以及射感电极,在背面(21b)上具有集电极(26);第1电极板(30),与IGBT元件(20)的表面(21a)对置设置,具有通过钎焊接合与射电极(22)连接的突起部;第2电极板(40),与IGBT元件(20)的背面(21b)对置设置,具有通过钎焊接合与集电极(26)连接的对置面(41b);绝缘基板(50),设在第1电极板(30)与IGBT元件(20)之间,具有通过钎焊接合与门电极(23)及射感电极连接的连接焊盘。
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公开(公告)号:CN104952815A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510088870.3
申请日:2015-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/54 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L23/4334 , H01L23/49562 , H01L25/065 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种能够容易地相对于冷却器进行固定而不会使散热性受损的半导体模块以及半导体模块的制造方法。半导体模块具备半导体元件、第一导电体、第二导电体以及封壳。所述半导体元件具有第一电极以及形成在与所述第一电极对置的面上的第二电极。所述第一导电体具有第一接合面以及第一散热面,所述第一接合面与所述第一电极电连接。所述第二导电体具有第二接合面以及第二散热面,第二接合面与第二电极电连接。所述封壳具有第一封壳部分以及第二封壳部分,所述第一封壳部分由第一绝缘材料构成,并形成为密封住所述半导体元件;所述第二封壳部分由导热率高于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料构成,并形成为与第一散热面和第二散热面相接触。
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公开(公告)号:CN101373762B
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN200810173727.4
申请日:2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 渡边尚威
IPC: H01L25/07 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/492 , H01L23/50 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 功率半导体模块,包括:半导体封装体1A、第一母线2a、第二母线2b以及焊接控制部件S1。半导体封装体1A包括:功率半导体元件5、第一电极板6和第二电极板7。第一母线2a为通过第一焊料构件50焊接到第一电极板的主表面上的导电构件。第二母线2b为通过第二焊料构件焊接到第二电极板的主表面上的导电构件。焊接控制部件S1被提供到第一母线主表面和第二母线主表面中的每一个上,并且控制焊点厚度,其中第一电极板焊接到第一母线,第二电极板焊接到第二母线。
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