公开(公告)号：CN102479904A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110248634.5

申请日：2011-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 布谷伸仁 ,  小川雅章 ,  浅川钢儿 ,  北川良太 ,  藤本明 ,  镰仓孝信

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 实施方式涉及的半导体发光元件具备：发光体、第一电极层、第二电极层、焊盘电极和辅助电极部。发光体在一侧设有第一导电型的第一半导体层，在另一侧设有第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层和第二半导体层之间设有发光层。第一电极层在第二半导体层的与第一半导体层相反的一侧设置，且具有金属层和沿从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向贯通上述金属层的多个开口部。第二电极层与第一半导体层导通。焊盘电极与第一电极层导通。辅助电极部与第一电极层导通，且在与第一方向正交的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN105390576A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510553420.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本贤冶 ,  镰仓孝信

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L31/16

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L25/167 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L31/165

Abstract: 本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－yAly)1－xAs(其中，0＜x≦0.2、0＜y＜1)；以及(n+1)层势垒层，与所述阱层交替地积层且包含Ga1－zAlzAs(其中，0＜z＜1)；且所述发光层发出具有700nm以上且870nm以下的峰值波长的光。

公开(公告)号：CN103367596A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310096239.9

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村健二 ,  藤本明 ,  中西务 ,  北川良太 ,  浅川钢儿 ,  镰仓孝信 ,  布谷伸仁

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。