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公开(公告)号：CN112531011A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010074517.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的数字隔离器，具有第一金属部、第一绝缘部、第二金属部、第三金属部及第一层。所述第一绝缘部设于所述第一金属部之上。所述第二金属部设于所述第一绝缘部之上。所述第三金属部具有第一部分、第二部分、以及第三部分。所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的方向上设于所述第一金属部的周围。所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上。所述第三部分设于所述第二部分之上，并在所述垂直的方向上设于所述第二金属部的周围。所述第一层设于所述第二部分的底部的周围，并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接。所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。
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公开(公告)号：CN118448396A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310560585.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L23/522 , H10N97/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置包含半导体层、绝缘膜、第1导电部和第2导电部。所述第1导电部设置于所述半导体层内。所述绝缘膜设置于所述半导体层内。所述绝缘膜设置于所述半导体层与所述第1导电部之间。所述第2导电部设置于所述半导体层内。所述第2导电部设置为使所述第1导电部位于所述第2导电部与所述绝缘膜之间。所述第2导电部与所述第1导电部电连接。所述第2导电部产生与所述第1导电部的应力的方向相反方向的应力。
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公开(公告)号：CN115346740A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210522350.9
申请日：2022-05-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01B17/56
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的绝缘器件。绝缘器件具备第一电极、第二电极、以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘膜。所述绝缘膜具有正的带电区域。所述正的带电区域在所述绝缘膜中配置于从所述第一电极朝向所述第二电极的方向上的一部分。
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公开(公告)号：CN113451277A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010855087.6
申请日：2020-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 大黑达也
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 实施方式提供一种能够提高特性的隔离器。实施方式的隔离器具备第一电极、第二电极以及第一绝缘部。所述第二电极设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电分离。所述第一绝缘部包括设置于所述第一电极与所述第二电极之间的空隙。
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公开(公告)号：CN111180514A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910593769.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的半导体基板；设置于半导体基板内并具有设置于第1面的栅极绝缘膜的半导体元件；设置于第1面之上的第1电极；设置于第1电极之上、包含第1金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm－3])/(第1金属材料的密度[g·cm－3])以上的第2电极；设置于第2电极之上的第1焊料部；设置于第1焊料部之上的第3电极；设置于第1面之上的第4电极；设置于第4电极之上、包含第2金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm－3])/(第2金属材料的密度[g·cm－3])以上的第5电极；设置于第5电极之上的第2焊料部；以及设置于第2焊料部之上的第6电极。
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公开(公告)号：CN119626733A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410283916.6
申请日：2024-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制的绝缘设备。绝缘设备具有绝缘部、第一线圈和第二线圈。绝缘部具有设置有第一线圈的第一绝缘层、设置有第二线圈的第二绝缘层、以及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的第三绝缘层。第三绝缘层具有：第三中央绝缘区域，位于设置有第一线圈的第一中央绝缘区域与设置有第二线圈的第二中央绝缘区域之间；以及第三外周绝缘区域，包围第三中央绝缘区域。第三中央绝缘区域具有包含氧化硅的第一中央部分。第三外周绝缘区域具有包含氧化硅的第一外周部分和包含氮氧化硅的第二外周部分。第一中央部分的厚度大于第一外周部分的厚度。第二外周部分的厚度大于第一外周部分的厚度。
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公开(公告)号：CN118693060A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310857760.3
申请日：2023-07-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 大黑达也
Abstract: 实施方式涉及电容器。电容器具备半导体基板、电极层、电介质膜、第一端子和第二端子。所述电极层从所述半导体基板的表面延伸至所述半导体基板中，所述电极层在所述半导体基板中包含金属硅化物。所述电介质膜设置在所述电极层与所述半导体基板之间，将所述电极层与所述半导体基板电绝缘。所述第一端子与所述电极层连接，所述第二端子与所述半导体基板连接。
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公开(公告)号：CN115346956A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210522361.7
申请日：2022-05-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备：第一线圈；第二线圈；以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间，所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间，所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。
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公开(公告)号：CN115051128A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210802501.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
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公开(公告)号：CN113437461B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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