公开(公告)号：CN104253180A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301753.6

申请日：2014-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。

公开(公告)号：CN101232068B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810008868.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  名古肇 ,  斎藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于(1-100)方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于(11-20)方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。

公开(公告)号：CN102157648A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010275566.7

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  彦坂年辉 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。

公开(公告)号：CN103579427A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310330343.X

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  橘浩一 ,  布上真也

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。所述第二半导体层被设置在所述第一半导体层的[0001]方向侧。所述发光层包括第一阱层、第二阱层和第一势垒层。所述势垒层的In组成比低于所述第一阱层和所述第二阱层的In组成比。所述势垒层包括第一部分和第二部分。所述第二部件具有第一区域和第二区域。所述第一区域具有比所述第一部分的In组成比高的第一In组成比。所述第二区域被设置在所述第一区域和所述第一阱层之间。所述第二区域具有低于所述第一In组成比的第二In组成比。

公开(公告)号：CN102138227A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980133403.0

申请日：2009-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  斋藤真司 ,  原田佳幸 ,  布上真也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基底层(20)；以及发光层(30)，其形成于基底层(20)上，并交替地层叠有由InAlGaN形成的势垒层和由InGaN形成的量子阱层。

公开(公告)号：CN100499190C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610126585.7

申请日：2006-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  本乡智惠 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/305 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  Y10S257/918

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。

公开(公告)号：CN1925181A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126585.7

申请日：2006-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  本乡智惠 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/305 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  Y10S257/918

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。

公开(公告)号：CN102194942B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201010275579.4

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN104779329A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510019134.2

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明描述了氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括功能层和堆叠体。所述堆叠体包括GaN中间层、低Al成分层、高Al成分层和第一含Si层。所述低Al成分层包括具有第一Al成分比的氮化物半导体。所述低Al成分层设置在所述GaN中间层与所述功能层之间。所述高Al成分层包括具有第二Al成分比的氮化物半导体。所述高Al成分层设置在所述GaN中间层与所述低Al成分层之间。所述第二Al成分比高于所述第一Al成分比。所述第一含Si层设置在所述GaN中间层与所述高Al成分层之间。

公开(公告)号：CN102194986A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275105.X

申请日：2010-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 后藤田徹 ,  名古肇 ,  冈俊行 ,  财满康太郎 ,  布上真也

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/11 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。