公开(公告)号：CN113497007A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010894429.5

申请日：2020-08-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 根贺亮平 ,  藤庆彦 ,  大黑达也 ,  镰仓孝信

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552

Abstract: 实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。

公开(公告)号：CN105390576A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510553420.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本贤冶 ,  镰仓孝信

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L31/16

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L25/167 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L31/165

Abstract: 本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－yAly)1－xAs(其中，0＜x≦0.2、0＜y＜1)；以及(n+1)层势垒层，与所述阱层交替地积层且包含Ga1－zAlzAs(其中，0＜z＜1)；且所述发光层发出具有700nm以上且870nm以下的峰值波长的光。

公开(公告)号：CN103367596A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310096239.9

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村健二 ,  藤本明 ,  中西务 ,  北川良太 ,  浅川钢儿 ,  镰仓孝信 ,  布谷伸仁

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。