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公开(公告)号：CN101714561B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910224852.8
申请日：2007-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42336
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够抑制通过栅电极间绝缘膜的泄漏电流，提高电可靠性的非易失性半导体存储装置。具备：在半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的多个存储器单元的多个位线；连接于同一行方向的多个存储器单元的多个字线；各存储器单元具备：依次形成于半导体基板上的第1栅绝缘膜，电荷存储层，第2栅绝缘膜，控制电极，和沿着与电荷存储层相对的侧面，在所述硅基板上面形成的1对杂质注入层，其中，在沿着与位线垂直的剖面，在设电荷存储层的上部角部或者表面凸部的曲率半径为r、第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。
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公开(公告)号：CN100476663C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02154759.9
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G05B23/00 , G05B19/418 , H01L21/00 , G06F17/00
CPC classification number: G05B23/024 , Y02P90/86
Abstract: 生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统，可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括：被诊断生产装置5；测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32～37；驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531；根据特征量传感器32～37的输出进行故障实时判定的模块533；将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103；包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。
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公开(公告)号：CN1288277C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02129077.6
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/44 , H01L21/306
CPC classification number: H04L12/66 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种干洗系统，包括：自动判定装置，根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息，按照由计算机决定的算法，对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定；决定装置，以上述自动判定装置的自动判定为基础，对上述各个设备，进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定；输出装置，按照上述决定装置对上述各个时期的决定，输出上述各个设备的下次的处理内容。
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公开(公告)号：CN1378260A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02108327.4
申请日：2002-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C16/52
Abstract: 从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时,在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光,获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时,测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系,从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化,推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
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