公开(公告)号：CN104064537A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410074863.3

申请日：2014-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  上田知正 ,  藤原郁夫 ,  山口一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括具有上表面的基板、设置在上表面上的基础绝缘层、以及薄膜晶体管。薄膜晶体管包括第一栅电极、第一、第二、和第三绝缘层、半导体层、以及第一和第二导电层。第一栅电极设置在基础绝缘层的一部分上。第一绝缘层覆盖第一栅电极和基础绝缘层。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且具有第一、第二、和第三部分。半导体层与位于第三部分上的第二绝缘层接触，并且具有第四、第五部分、和第六部分。第一导电层与第四部分接触。第二导电层与第五部分接触。第三绝缘层覆盖半导体层的一部分。

公开(公告)号：CN113488551A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202010893551.0

申请日：2020-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 熟田昌己 ,  铃木和拓 ,  藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  野房勇希

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  G01S7/481 ,  G01S17/02

Abstract: 本发明提供一种能够抑制噪声的光检测元件、光检测系统、激光雷达装置以及移动体。光检测元件具备第一半导体层，该第一半导体层具有光检测区域和周边区域，该光检测区域是在光入射的第一面上排列有多个光检测部的区域，该周边区域是设于光检测区域的周围且不包含光检测部的半导体区域。周边区域的厚度方向上的至少一部分的第一层区域的晶格缺陷的密度或者第一层区域所含的杂质的浓度比所述光检测区域中的在与所述厚度方向交叉的方向上与该第一层区域邻接的第二层区域的晶格缺陷的密度或者第二层区域所含的杂质的浓度高。

公开(公告)号：CN113437174A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010944864.4

申请日：2020-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  佐佐木启太 ,  铃木和拓 ,  熟田昌己 ,  清水真理子 ,  冈本和晃

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G01S17/931 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4865

Abstract: 本发明提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线和第二布线。第一元件的第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第一元件的第三半导体区域设置于第二半导体区域之上，与第二半导体区域接触。第二元件的第四半导体区域设置于第一半导体区域之上，具有比第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。第二元件的第五半导体区域设置于第四半导体区域之上，与第四半导体区域接触。绝缘体设置于第一元件与第二元件之间。第一布线与第三半导体区域电连接。第二布线与第五半导体区域电连接。

公开(公告)号：CN105407302A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510449864.6

申请日：2015-07-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 舟木英之 ,  藤原郁夫 ,  饭田义典 ,  宫崎崇 ,  木村俊介

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146

Abstract: 摄像装置包括半导体衬底、光电转换膜、第一晶体管、第一电容器、第二电容器、初始化电路部和控制部。光电转换膜层叠在半导体衬底上。第一晶体管的栅极与光电转换膜电连接。第一电容器与第一晶体管的漏极电连接。第二电容器与第一晶体管的源极电连接。初始化电路部将第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量分别初始化，使第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量的总量恒定，使第二电容器的第二电荷量达到规定量。控制部在由初始化电路部进行初始化后，按照第二电荷的量使第一电荷通过第一晶体管从第二电容器向第一电容器移动。信号处理部根据第一电容器的电压生成基于由光电转换膜产生的第二电荷的量的信号分量。

公开(公告)号：CN104934453A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410698275.7

申请日：2014-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫崎崇 ,  藤原郁夫 ,  舟木英之

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/03762

Abstract: 本发明涉及固体摄像装置。本发明提供一种能够抑制像素内层叠的光电转换部之间发生混色，且能够进一步提高各光电转换部中的受光灵敏度的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具有第1部分，该第1部分包括第1无机光电转换部、半导体基板部、以及微细结构体。半导体基板部中存在与所述第1无机光电转换部相对的、光入射的受光面，以及形成有包含读取电路的电路的电路形成面，在内部具有第2无机光电转换部。微细结构体配置在所述第1无机光电转换部与所述第2无机光电转换部之间。