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公开(公告)号：CN113437173A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN113437173B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN114156362B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110211234.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S17/86
Abstract: 本发明涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。
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公开(公告)号：CN112820794A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010944839.6
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供一种能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括：包括光电二极管的多个元件。所述多个元件的至少一部分分别包括结构体，该结构体包围所述光电二极管且具有与所述光电二极管不同的折射率。各个所述结构体的至少一部分相互分离。
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公开(公告)号：CN108345024A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710761284.X
申请日：2017-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01T1/20
CPC classification number: A61B6/4233 , A61B6/4241 , G01T1/17 , G01T1/18 , G01T1/20 , G01T1/2018 , G01T1/2985
Abstract: 本发明的实施方式涉及检测装置以及检测方法。本发明想要解决的课题在于提供一种使放射线检测的线性提高的检测装置。为了实现上述的课题，实施方式的检测装置具备检测光子的第1检测器、与第1检测器电连接的第1电极、检测光子的多个第2检测器、以及与第2检测器分别电连接的第2电极，第1检测器的数量比第2检测器的数量少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104237926A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410255409.8
申请日：2014-06-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01T1/248 , G01J1/44 , G01T1/1647 , G01T1/2018
Abstract: 本发明公开一种光探测器和计算断层摄影装置。根据实施例的光探测器包括：包括以阵列排列的多个第一单元的第一单元阵列和包括以阵列排列的多个第二单元的第二单元阵列的光探测器元件单元，第一和第二单元的每一个包括光电转换元件，第二单元阵列被布置为邻近第一单元阵列；分析从第一单元阵列输出的电信号的脉冲高度的第一脉冲高度分析单元；分析从第二单元阵列输出的电信号的脉冲高度的第二脉冲高度分析单元；以及使用第一脉冲高度分析单元的输出信号和第二脉冲高度分析单元的输出信号来确定进入第一和第二单元阵列的光子分布的非均匀性的信号处理单元。
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公开(公告)号：CN114156362A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110211234.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S17/86
Abstract: 本发明涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。
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公开(公告)号：CN113437174A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944864.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 本发明提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线和第二布线。第一元件的第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第一元件的第三半导体区域设置于第二半导体区域之上，与第二半导体区域接触。第二元件的第四半导体区域设置于第一半导体区域之上，具有比第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。第二元件的第五半导体区域设置于第四半导体区域之上，与第四半导体区域接触。绝缘体设置于第一元件与第二元件之间。第一布线与第三半导体区域电连接。第二布线与第五半导体区域电连接。
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公开(公告)号：CN104459757A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410438440.5
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01T1/20 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L31/0224
Abstract: 本申请公开了放射检测器和放射检测装置。根据实施例的放射检测器包括：半导体衬底；设置在半导体衬底第一表面侧的光检测单元；设置的覆盖光检测单元的第一绝缘膜；覆盖第一绝缘膜的第二绝缘膜；设置在第二绝缘膜上的闪烁体；设置在第一和第二绝缘膜之间的互连，连接到光检测单元；通过第一开口底部部分连接到互连的第一电极；设置在半导体衬底第二表面中的区域上的第二电极，该区域与光检测单元的至少部分相对；设置在围绕第一电极但不围绕第二电极的区域中的第二开口；以及覆盖第一和第二电极与第一和第二开口的绝缘树脂层。
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公开(公告)号：CN112614899A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010160592.9
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/02 , H01L23/64 , H01L23/62 , H01L25/16 , H01L31/107 , G01S17/08 , G01S17/894 , G01S7/486 , G01S7/4912
Abstract: 提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接，并且包括元件、半导体构件及互相分离地设置且与所述半导体构件电连接的多个第1金属构件。根据上述构成的光检测器，能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。
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