公开(公告)号：CN101546773A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910130661.5

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菊地祥子 ,  中崎靖 ,  村冈浩一

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种将铝氧化物膜作为阻挡绝缘膜的高性能的MONOS型的NAND型非易失性半导体存储装置。在半导体基板中，具备串联连接的多个存储单元晶体管、和选择晶体管。存储单元晶体管具备：半导体基板上的第一绝缘膜；电荷积蓄层；作为铝氧化物的第二绝缘膜；第一控制栅电极；以及第一源/漏区域。选择晶体管具备：半导体基板上的第三绝缘膜；作为铝氧化物且含有四价阳离子元素、五价阳离子元素、N(氮)中的至少一种元素的第四绝缘膜；第二控制栅电极(108b)；以及第二源/漏区域。

公开(公告)号：CN101540328A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128789.8

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石原贵光 ,  村冈浩一

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/7887 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；源区和漏区，其形成在该半导体衬底中，彼此分离并限定它们之间的沟道区；形成在沟道区上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的绝缘电荷存储膜；形成在绝缘电荷存储膜上使得在沟道方向上比绝缘电荷存储膜短的导电电荷存储膜；形成在导电电荷存储膜上的层间绝缘膜；和形成在层间绝缘膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN101515599A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN101154688A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710162018.1

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/4234 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 以往的MONOS是在SiN中蓄积电荷的结构，但是电荷蓄积量不充分，无法取得大的阈值电压变化幅度，在向HfO2、ZrO2、TiO2中导入La系元素的技术中，难以实现基于掺杂剂的导入的电荷高密度化。一种非易失性半导体存储器，具有将介电常数比氮化硅膜充分高的Ti氧化物、Zr氧化物、Hf氧化物等金属氧化物作为母材材料，为了使其中产生电子出入成为可能的捕获能级，适量添加价数为大2价(VI价)以上的高价数物质的结构的电荷蓄积层。

公开(公告)号：CN101515599B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910007879.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  安田直树 ,  村冈浩一 ,  藤木润 ,  菊地祥子 ,  有吉惠子

IPC: H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN101546783B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910130660.0

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新宫昌生 ,  菊地祥子 ,  高岛章 ,  井野恒洋 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。

公开(公告)号：CN101399290B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810149776.4

申请日：2008-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中崎靖 ,  村冈浩一 ,  安田直树 ,  菊地祥子

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al2O3的价带最大值2eV-6eV的范围内的电子未占据能级。

公开(公告)号：CN101154688B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710162018.1

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/4234 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 以往的MONOS是在SiN中蓄积电荷的结构，但是电荷蓄积量不充分，无法取得大的阈值电压变化幅度，在向HfO2、ZrO2、TiO2中导入La系元素的技术中，难以实现基于掺杂剂的导入的电荷高密度化。一种非易失性半导体存储器，具有将介电常数比氮化硅膜充分高的Ti氧化物、Zr氧化物、Hf氧化物等金属氧化物作为母材材料，为了使其中产生电子出入成为可能的捕获能级，适量添加价数为大2价(VI价)以上的高价数物质的结构的电荷蓄积层。

公开(公告)号：CN101399290A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810149776.4

申请日：2008-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中崎靖 ,  村冈浩一 ,  安田直树 ,  菊地祥子

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al2O3的价带最大值2eV－6eV的范围内的电子未占据能级。

公开(公告)号：CN101276843A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810096687.8

申请日：2008-01-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  松下大介 ,  村冈浩一 ,  中崎靖 ,  加藤弘一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有隧道绝缘膜的半导体存储装置及其制造方法，即使薄膜化也不会使重复进行写入/擦除时的耐性(耐久特性)恶化。该半导体存储装置包括：半导体衬底(2)；在半导体衬底上形成的第一绝缘膜(6)，该第一绝缘膜包括具有第一氮氧化硅层(8b)、氮化硅层(8a)以及第二氮氧化硅层(8c)的叠层结构的氮氧化硅膜(8)、以及形成在所述氮氧化硅膜上的富硅氧化硅膜(10)；形成在第一绝缘膜上的电荷蓄积层(12)；形成在电荷蓄积层上的第二绝缘膜(14)；和形成在第二绝缘膜上的控制栅极(16)。