公开(公告)号：CN100364107C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410047237.1

申请日：2004-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山亨 ,  野津哲郎 ,  森宏平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/73 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的p型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的p型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。

公开(公告)号：CN1574388A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047237.1

申请日：2004-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山亨 ,  野津哲郎 ,  森塚宏平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/73 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的p型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的p型GaAs层构成的基极层以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。

公开(公告)号：CN114188411B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202110023207.0

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  矶部康裕 ,  洪洪 ,  小林仁 ,  大野哲也 ,  杉山亨

IPC: H10D30/47 ,  H10D84/82 ,  H01L23/528

Abstract: 提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。

公开(公告)号：CN118693143A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310717029.0

申请日：2023-06-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林仁 ,  小野村正明 ,  杉山亨 ,  吉冈启 ,  矶部康裕 ,  大野哲也 ,  关口秀树 ,  洪洪 ,  垣内赖人

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335

Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、绝缘膜、以及位于栅极电极与漏极电极之间且与氮化物半导体层接触且与漏极电极电连接的导体层。漏极电极具有与氮化物半导体层接触的第一部分、和与第一部分相比位于导体层侧的第二部分。绝缘膜具有位于导体层与漏极电极之间的一部分。第二部分设置在绝缘膜的一部分上。

公开(公告)号：CN118693142A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310715799.1

申请日：2023-06-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  小林仁 ,  关口秀树 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包含第一～第二半导体层、第一～第三电极、导电部和绝缘部。第二半导体层设于第一半导体层之上。第一电极设于第二半导体层之上。第一电极包含电极部和电极延伸部。电极延伸部从电极部的上端部向与从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向垂直的第二方向延伸。第二电极设于第二半导体层之上，在第二方向上与第一电极分离。导电部与第二半导体层的上表面相接，位于第一电极与第二电极之间且与第一电极接触。绝缘部设于导电部之上，位于导电部与电极延伸部之间。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，且位于第一电极与第二电极之间。

公开(公告)号：CN118693141A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310715794.9

申请日：2023-06-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 关口秀树 ,  吉冈启 ,  杉山亨 ,  矶部康裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置和半导体模块。实施方式所涉及的半导体装置包括第一～第二半导体层、第一～第三电极、绝缘区域、导电层。第一半导体层包含氮化物半导体。第二半导体层设置于第一半导体层之上，包含氮化物半导体。第一电极设置于第二半导体层之上。第二电极设置于第二半导体层之上，与第一电极排列。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，位于第一电极与第二电极之间。绝缘区域设置于第二半导体层之上，在第一电极与第二电极之间与第一电极相邻。绝缘区域包括第一绝缘部分以及位于第一绝缘部分的上方的第二绝缘部分。导电层设置于第一绝缘部分与第二绝缘部分之间，与第一电极电连接。

公开(公告)号：CN118100098A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410225970.5

申请日：2021-01-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  小林仁 ,  大野哲也 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  岩井正明

IPC: H02H7/20 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H02M7/537

Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。

公开(公告)号：CN110911483B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811451853.1

申请日：2018-11-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 洪洪 ,  吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层相比带隙更大的第2氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第1电极；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第2电极；位于第1电极与第2电极之间的栅极电极；与第1电极连接的第1场板电极；与第1电极电连接、且位于栅极电极与第2电极之间的第2场板电极；位于栅极电极上的第1导电层；和位于第1导电层上的第2导电层。栅极电极与第2场板电极之间的第1距离小于第1导电层与第2场板电极之间的第2距离，且小于等于第2导电层与第2场板电极之间的第3距离。

公开(公告)号：CN114242712A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202110878854.X

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 矶部康裕 ,  洪洪 ,  吉冈启 ,  杉山亨 ,  小林仁 ,  大野哲也 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，具有第一面和第二面；第一源极电极，设置于第一面；第一漏极电极，设置于第一面；第一栅极电极，设置于第一源极电极与第一漏极电极之间的第一面；第二氮化物半导体层，设置于第二面，具有第三面和第四面，与第一氮化物半导体层相比带隙小，该第三面与第二面对置；以及第一半导体器件，设置于第四面，具有为第四面以下的大小且与第四面对置的第五面，包含与第二氮化物半导体层相比带隙的第一半导体材料。

公开(公告)号：CN102694019A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。