公开(公告)号：CN100364107C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410047237.1

申请日：2004-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山亨 ,  野津哲郎 ,  森宏平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/73 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的p型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的p型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。