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公开(公告)号：CN119767759A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410725329.8
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括：基体、氮化物部件、以及含Ga和N的半导体部件。氮化物部件在第1方向上设置在基体和半导体部件之间。氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和第3氮化物区域。第1氮化物区域设置在基体和第3氮化物区域之间。第2氮化物区域设置在第1氮化物区域和第3氮化物区域之间。第1氮化物区域包含AlN。第2氮化物区域包含Alx2Ga1‑x2N(0
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公开(公告)号：CN118016693A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311000127.9
申请日：2023-08-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝基础设施系统株式会社
Inventor： 彦坂年辉
IPC: H01L29/20 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可提高特性的氮化物半导体和半导体装置，其提供能够提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据本发明的实施方式，氮化物半导体包括氮化物部件。所述氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和中间区域。所述第1氮化物区域包含含有第1元素的Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)，所述第1元素包含选自Fe和Mn的至少1种。所述第2氮化物区域包含Alx2Ga1‑x2N(0≤x2
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公开(公告)号：CN115706142A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210096948.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供能够提高质量的氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包括基体和氮化物构件。氮化物构件包括：第一氮化物区域，包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN108873162A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810160351.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 彦坂年辉
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法，提供能够提高效率的波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法。根据实施方式，波导元件包括第1晶体区域以及第2晶体区域。所述第1晶体区域在第1方向上延伸，包括第1氮化物半导体。所述第2晶体区域在所述第1方向上延伸，包括第2氮化物半导体，并且与所述第1晶体区域连续。从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述第1晶体区域的＜0001＞方向是从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域。所述第2晶体区域的＜0001＞方向是从所述第2晶体区域向所述第1晶体区域。
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公开(公告)号：CN103839979B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103474560B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310394899.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN102403429B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110051219.0
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光装置。实施方式的发光装置具备：发出波长380nm～470nm的光的发光元件；在该发光元件上配置的CASN系第一红色荧光体；在该发光元件上配置的塞隆系第二红色荧光体；和在该发光元件上配置的塞隆系绿色荧光体。
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公开(公告)号：CN103839979A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1-xN（0
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公开(公告)号：CN102169931B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
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公开(公告)号：CN102104106B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010274406.0
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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