公开(公告)号：CN119486253A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410196186.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 奥山拓希 ,  大桥健一 ,  森健太郎 ,  野村一城 ,  村吉彬

IPC: H10D84/83 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48

Abstract: 实施方式提供一种能够提高强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含具有上表面和与上表面相反的一侧的下表面的半导体基板。半导体基板包含第一端部、第二端部、元件部、第一梁部和第二梁部。第一端部在与从下表面朝向上表面的第一方向垂直的第二方向上位于半导体基板的端部。第二端部在第二方向上与第一端部分离。元件部位于第一端部与第二端部之间。在元件部形成有半导体元件。第一梁部从第一端部与元件部之间的第一部分向比第一端部及元件部靠下方的位置突出，并在与第一方向及第二方向垂直的第三方向上延伸。第二梁部从第二端部与元件部之间的第二部分向比第二端部及元件部靠下方的位置突出，并在第三方向上延伸。

公开(公告)号：CN118676099A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311103843.X

申请日：2023-08-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 野村一城 ,  大桥健一 ,  山下创一 ,  森健太郎 ,  村吉彬 ,  奥山拓希

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/78

Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法。实施方式所涉及的半导体装置具备：第一电极，具有第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；半导体基板，配置于所述第二主面上；以及第二电极，配置于所述半导体基板的与同所述第一电极相接的第三主面相反的一侧的第四主面上。所述第一电极具有与所述第一主面大致垂直地相交的第一侧面和与所述第一主面及所述第一侧面均大致垂直地相交的第二侧面，所述第一主面、所述第一侧面及所述第二侧面经由曲面相互连接。

公开(公告)号：CN1763983B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200510106305.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅川钢儿 ,  藤本明 ,  杉山仁 ,  大桥健一 ,  铃木启之 ,  户野谷纯一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。

公开(公告)号：CN100403555C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02160828.8

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅川钢儿 ,  藤本明 ,  杉山仁 ,  大桥健一 ,  铃木启之 ,  户野谷纯一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。