-
公开(公告)号：CN103377608A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310052585.7
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G09G3/00
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/3227 , H01L27/326
Abstract: 本发明涉及显示面板和显示装置。根据一个实施例，一种显示面板包括衬底、开关元件、像素电极、有机发光层、相对电极、检测电极和绝缘层。所述衬底具有主表面。在所述主表面上设置所述开关元件。该开关元件包括半导体层。在所述主表面上设置所述像素电极。该像素电极电连接于所述开关元件。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述衬底和所述像素电极的至少一部分之间设置所述检测电极。所述检测电极包括包含在所述半导体层中的至少一个元件。在所述像素电极和所述检测电极之间设置所述绝缘层。
-
公开(公告)号：CN103021938A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210177907.6
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/77 , G02F1/1368 , H01L27/32
CPC classification number: H05K3/10 , G02F1/133305 , G02F1/1362 , H01L27/1266 , H01L2227/326
Abstract: 根据一个实施例，公开了用于制造显示设备的方法。在支承衬底上形成膜材料层。在第一温度执行膜材料层的第一加热过程从而形成膜层，并在高于所述第一温度的第二温度执行围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程。所述第一区域被设置在所述膜层的中央部分中。在第一区域中形成显示层且在第二区域的至少一部分中形成外围电路部分。在高于所述第二温度的第三温度为所述膜层的至少一部分执行第三处理过程。另外，膜层被从支承衬底剥离。
-
公开(公告)号：CN103022143B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210177380.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02266 , H01L21/02565 , H01L27/3244 , H01L29/24 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L51/0096 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备。根据一个实施例，薄膜晶体管包括衬底、栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、第二绝缘膜、源电极、以及漏电极。栅电极设置在衬底的一部分上。第一绝缘膜覆盖栅电极。氧化物半导体膜经由第一绝缘膜设置在栅电极上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜的一部分上。源电极和漏电极分别连接到未用第二绝缘膜覆盖的氧化物半导体膜的第一和第二部分。氧化物半导体膜包括氧化物半导体。第一和第二绝缘膜中的含氢浓度分别不小于5×1020原子/cm-3，并且不大于1019原子/cm-3。
-
公开(公告)号：CN104465782A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410432014.0
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了半导体元件、显示设备、半导体元件及显示设备的制造方法。一种半导体元件，包括半导体层、第一和第二导电单元、栅电极、和栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元、和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。
-
公开(公告)号：CN103021938B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210177907.6
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/77 , G02F1/1368 , H01L27/32
CPC classification number: H05K3/10 , G02F1/133305 , G02F1/1362 , H01L27/1266 , H01L2227/326
Abstract: 根据一个实施例，公开了用于制造显示设备的方法。在支承衬底上形成膜材料层。在第一温度执行膜材料层的第一加热过程从而形成膜层，并在高于所述第一温度的第二温度执行围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程。所述第一区域被设置在所述膜层的中央部分中。在第一区域中形成显示层且在第二区域的至少一部分中形成外围电路部分。在高于所述第二温度的第三温度为所述膜层的至少一部分执行第三处理过程。另外，膜层被从支承衬底剥离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064691A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410073038.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L51/56 , H01L27/32 , H01L51/52 , G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/20 , H01L27/3246 , H01L51/003 , H01L51/56
Abstract: 根据一个实施例，本发明公开了制造显示装置的方法。所述方法可以包括将显示体接合于滤光体、照射光和分隔开。显示体包括第一支承单元和显示单元。第一支承单元包括第一基板、第一金属层和第一树脂层。显示单元具有第一区域和第二区域。滤光体包括第二支承单元和滤光单元。第二支承单元包括第二基板、第二金属层和第二树脂层。在接合时，显示单元和滤光单元被配置在第一基板和第二基板之间。光被照射到第一和第二金属层。第一基板从第一树脂层分隔开，并且第二基板从第二树脂层分隔开。
-
公开(公告)号：CN103682172A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310082005.9
申请日：2013-03-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1225 , H01L27/3244 , H01L51/0024 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供了显示设备及其制造方法。根据一个实施例，一种显示设备的制造方法包括以下步骤：设置第一基板单元的阴极以使其隔着中间层面向第二基板单元的阳极；以及将阴极隔着中间层接合到阳极。第一基板单元包括第一基板、设置在第一基板上的薄膜晶体管、以及连接到薄膜晶体管的阴极。薄膜晶体管是n沟道薄膜晶体管。第二基板单元包括第二基板以及设置在第二基板上的阳极。
-
公开(公告)号：CN103426899A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310052739.2
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L51/5253 , H01L51/5256
Abstract: 根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、像素电极、有机发光层、公共电极和密封单元。在所述衬底上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述公共电极设置在所述有机发光层上。所述密封单元设置在所述公共电极上。该密封单元包括第一密封膜和第二密封膜。所述第二密封膜的折射率不同于所述第一密封膜的折射率。
-
公开(公告)号：CN103022143A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210177380.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02266 , H01L21/02565 , H01L27/3244 , H01L29/24 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L51/0096 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备。根据一个实施例，薄膜晶体管包括衬底、栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、第二绝缘膜、源电极、以及漏电极。栅电极设置在衬底的一部分上。第一绝缘膜覆盖栅电极。氧化物半导体膜经由第一绝缘膜设置在栅电极上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜的一部分上。源电极和漏电极分别连接到未用第二绝缘膜覆盖的氧化物半导体膜的第一和第二部分。氧化物半导体膜包括氧化物半导体。第一和第二绝缘膜中的含氢浓度分别不小于5×1020原子/cm-3，并且不大于1019原子/cm-3。
-
公开(公告)号：CN102693999A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110285393.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G2300/0408 , G09G2300/08
Abstract: 根据一个实施例，显示装置包括绝缘层、显示单元和有机EL层。显示单元被设置在绝缘层的主表面上并且包含多条栅极线、多条信号线、多条电源线以及排列成矩阵结构的多个像素单元。有机EL层被设置在显示单元上。每个像素单元包含驱动晶体管和电阻器。驱动晶体管包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。驱动源电极或驱动漏电极被连接到多条电源线中的一条信号线。电阻器的一端被连接到驱动栅电极。电阻器的另一端被连接到栅极线、信号线和电源线中的一个。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.024 seconds)
