半导体生产装置的异常停止避免方法和异常停止避免系统

    公开(公告)号:CN100402826C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN02160295.6

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B9/02 G05B23/024 G05B23/0291

    Abstract: 提供进行正确故障时间的预测,可进行安全低成本的维护的异常停止避免系统。包含:反应室(521);将反应室(521)置于减压状态的真空泵(18,19);向反应室(521)导入气体的气体供给控制系统(51);测定真空泵(18,19)的特征量的时间系列数据的特征量传感器(31~37);实时控制反应室(521)、真空泵(18,19)和气体供给控制系统(51)的实时控制器(531);通过对时间系列数据的第一实时解析取得第一故障诊断数据,通过对第一故障诊断数据的第二实时解析取得第二故障诊断数据,由此预测故障的故障实时判定模块(533)。判断为异常停止的情况下,由气体供给控制系统(51)向反应室(521)导入清洁(purge)用气体。

    半导体制造装置的寿命诊断方法

    公开(公告)号:CN1278387C

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN02147030.8

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B23/0283

    Abstract: 提供一种不受半导体制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括:(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11);(2)从基准时间系列数据求出基准自共分散函数(步骤S12);(3)从该基准自共分散函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动,求出该基准变动的周期(步骤S13);(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中,测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14);(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分散函数(步骤S15);(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。

    半导体器件的制造方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1405840A

    公开(公告)日:2003-03-26

    申请号:CN02149898.9

    申请日:2002-08-30

    Inventor: 中尾隆

    CPC classification number: H01L21/67276 H01L21/67253

    Abstract: 一种半导体器件制造方法,可使处理重复性稳定。包括:用于对半导体器件制造装置反应室内的被处理衬底给予规定处理、决定成膜方法的步骤S101;作决定的成膜方法,对被处理衬底进行处理的步骤S102;上述处理中,测定一个以上使上述处理对上述被处理衬底的处理能力变动的工艺参数的步骤S103;上述处理中,根据表示与处理条件对应的处理能力和上述工艺参数的关系的基准状态与处理中测定的工艺参数测定值,求出将处理量作为设定值的新的成膜方法的步骤S104、S105;以及上述处理中,按照新的成膜方法进行上述处理的步骤S105。

    真空排气系统及其监视·控制方法

    公开(公告)号:CN100363618C

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200510004779.5

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: C23C16/4412

    Abstract: 本发明提供一种可以延长寿命、提高生产效率的真空排气系统。包括:具有多个监视区域的排气泵系统(2);分别设在监视区域上的分别独立地检测监视区域中的排气泵系统(2)的状态的传感器(101、102、103、......、104);分别设在监视区域中加热器(201、202、203、......、204);分别接收来自传感器(101、102、103、......、104)的数据信号(D1、D2、D3、......、Dm),比较该数据信号与阈值,当来自特定的传感器的数据信号超过了阈值时,只向配置了特定的传感器的监视区域的加热器选择性地供给加热用电力的监视·控制装置(1)。

    半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统

    公开(公告)号:CN1299323C

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN02160294.8

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: H01L21/67253

    Abstract: 提供一种半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统,不管处理种类如何,难以受到处理环境制约,并且可以适当状态进行处理,可容易地得到优良的半导体器件。其中,将监测装置(8)配置成监测部(29)的外侧暴露于反应容器(2)内,并开始处理,其中监测装置(8)包括:由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部(29);形成为将向该监测部(29)照射包含规定波长的光的光照射部(16)、接收监测部(29)的照射光的反射光的光接收部(30)、照射光和反射光与反应容器(2)内的气氛和引入反应容器(2)内的物质分离的光路保护体(15)。测定反射光的强度,根据监测部(29)上淀积的淀积物的淀积量求出晶片(3)上淀积的膜的厚度。

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