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公开(公告)号：CN1661869A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN1649180A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510004500.3
申请日：2005-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 油利正昭
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。在蓝宝石基板(1)上依次形成n型GaN层(2)、InGaN多量子阱活性层(3)、p型AlGaN电子势垒层(4)、p型AlGaN/GaN应变超晶格层(5)以及p型GaN接触层(6)。通过以在p型GaN接触层(6)的光取出部上具备开口的方式形成p侧欧姆电极(7)。在p型GaN接触层(6)的光取出部，通过使用甲醇、氟酸、以及过氧水的混合溶液的湿式蚀刻，而形成多孔结构(9)。因此，这种半导体发光元件，无需使用微细光刻技术或者干式蚀刻技术，而光取出效率高且放射图案良好。
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公开(公告)号：CN1773737B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510115600.3
申请日：2005-11-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 油利正昭
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/385 , F21K9/00 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2224/48091 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。目的在于：防止在半导体发光装置中，在引线接合时产生的半导体发光元件的裂纹或缺损。特征在于，包括：支撑体104；夹着熔敷材料103固定在支撑体104上，具有第1电极及第2电极(102、106)，由至少含活性层的半导体层101构成的半导体发光元件；以及从支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第1电极及第2电极(102、106)中的至少形成在半导体层101上面的一电极(106)为止的布线金属107。对一电极(106)的供电，是通过布线金属107进行的。
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公开(公告)号：CN100431179C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN03148730.0
申请日：2003-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2224/14
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。
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公开(公告)号：CN1262054C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01136085.2
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
Abstract: 一种半导体激光装置，分别在活性层104的下方设有由Alx1Ga1-x1As所构成的n型包层102，在活性层104的上方设有由(AlxGa1-x)yIn1-yP所构成的势垒高度规定用p型包层106。势垒高度规定用p型包层106比n型包层102含有更多的组成元素，势垒高度规定用p型包层106与活性层104之间的导带端的势差大于n型包层102与活性层104之间的导带端的势差。在抑制从活性层104向p型包层106的载流子溢出的同时，还通过在n型包层102上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1212695C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN00129584.5
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷(104)的基板(102)和至少借助于来自上述凹陷(104)的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板(102)的上述表面上形成的半导体层(103)使该半导体层的晶格缺陷朝上述凹陷的中心方向集中。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1581526A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056355.9
申请日：2004-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/08
Abstract: 一种半导体装置，具有形成在蓝宝石基板(101)上的由第1半导体层构成的有源层(活性层)(105)，在有源层(活性层)(105)上，形成由氧化层构成的第1氧化区域。根据本发明的半导体装置，可以提高半导体装置的元件特性。
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公开(公告)号：CN1553523A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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公开(公告)号：CN101361240A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001710.4
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/042
Abstract: 半导体光源装置具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件101、和驱动发光元件101的驱动电路102。驱动电路102进行根据向发光元件供给顺向电流来使发光元件101发光的顺向驱动动作、和向发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作。逆向偏压的大小由流过发光元件的逆向电流值限制。
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公开(公告)号：CN100435436C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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