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公开(公告)号：CN104518236B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410458018.6
申请日：2014-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/4235 , H01M2/1653 , H01M4/628 , H01M10/052 , Y02E60/122
Abstract: 本发明提供了一种非水电解质二次电池，具有电极体和非水电解质，所述电极体是由具有正极活性物质层(22)的正极(10)、和负极夹着隔板配置而成的，所述正极(10)或所述隔板中的至少一者含有具有至少一个金属元素的下述通式(1)所表示的磷酸酯化合物(30)(式(1)中，X和Y是金属元素、氢原子或有机基团，X和Y中的至少一者为金属元素。当金属元素为2价时，X和Y表示一个金属元素。n是2以上10以下的整数)。
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公开(公告)号：CN105742573A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510694950.3
申请日：2015-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用正极和非水电解质二次电池。作为一例实施方式的正极(11)，具备：以铝(Al)为主成分而构成的正极集电体(30)；形成于正极集电体(30)上的保护层(31)；和包含含锂过渡金属氧化物、形成于保护层(31)上的正极合剂层(32)。保护层(31)的厚度为1μm～5μm，包含氧化能力比含锂过渡金属氧化物低的无机化合物、和导电材料。
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公开(公告)号：CN102422460B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180001924.8
申请日：2011-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M2/12
CPC classification number: H01M2/12 , H01M2/1241 , H01M2/1252 , Y02E60/12 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种具备在电池内压力上升时将产生在电池内的气体排到电池外的安全阀的密闭型电池，其具备在第1工作压下工作的第1安全阀(9a、10)和在比第1工作压高的第2工作压下工作的第2安全阀(15a)，第2安全阀(15a)的工作时的排气速度大于第1安全阀(9a、10)的工作时的排气速度，第1安全阀(9a、10)至少在第2安全阀(15a)工作时闭塞。
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公开(公告)号：CN100428516C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200480001044.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/22 , H01L35/34 , C04B35/495 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/495 , C01G31/00 , C01G31/006 , C01P2006/40 , C04B35/6262 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3291 , C04B2235/3294 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , H01L35/22
Abstract: 在现有的热电转换材料中热电转换性能尚不充分，使在氧化气氛且大气中显现稳定性能已成为课题。本发明的热电转换材料，由以氧化钒为主要成分、通式为AxVOx+1.5+d的复合氧化物构成，式中A是从碱金属元素、碱土金属元素、稀土元素中选择的至少一种元素，x为0.2以上2以下，d是氧的不定比率，范围为—1～1。
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公开(公告)号：CN100414716C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200380107768.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/82 , G01R33/06 , H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术完全不同的构成、可提高用于使磁性体的磁化状态发生变化的能量转换效率的磁性开关元件及使用该元件的磁性存储器。所述磁性开关元件包括：磁性层、与所述磁性层磁耦合的转换层、具有选自金属及半导体的至少一种的载流子供给体，所述转换层与所述载流子供给体是以在所述转换层与所述载流子供给体之间能够施加电压的状态进行配置，所述转换层是通过施加所述电压而产生非强磁性一强磁性转换的层，由于所述转换层的所述转换，所述磁性层的磁化状态发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1701449A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480001044.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/22 , H01L35/34 , C04B35/495 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/495 , C01G31/00 , C01G31/006 , C01P2006/40 , C04B35/6262 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3291 , C04B2235/3294 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , H01L35/22
Abstract: 在现有的热电转换材料中热电转换性能尚不充分，使在氧化气氛且大气中显现稳定性能已成为课题。本发明的热电转换材料，由以氧化钒为主要成分、通式为AxVOx+1.5+d的复合氧化物构成，式中A是从碱金属元素、碱土金属元素、稀土元素中选择的至少一种元素，x为0.2以上2以下，d是氧的不定比率，范围为－1～1。
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公开(公告)号：CN1498429A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN02806836.X
申请日：2002-06-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3948 , G11B2005/3996 , H01F41/302 , H01L43/08 , Y10T428/1143 , Y10T428/115
Abstract: 本发明是提供磁阻特性比现有优越的磁阻元件，通过包含在330℃以上的热处理工序的方法制造、而且从非磁性层的中心线到一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面的最长距离为10nm以下。该元件例如在基板上作底膜，将该底膜在400℃以上进行热处理，在该底膜的表面上照射离子束而降低表面粗糙度，在其后，可以形成所述强磁性层以及所述非磁性层。在距非磁性层的界面2nm范围的强磁性层内，若添加M1(从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素)，所述最长距离相对地降低。
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公开(公告)号：CN1488176A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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公开(公告)号：CN1112675C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN105742573B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510694950.3
申请日：2015-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用正极和非水电解质二次电池。作为一例实施方式的正极(11)，具备：以铝(Al)为主成分而构成的正极集电体(30)；形成于正极集电体(30)上的保护层(31)；和包含含锂过渡金属氧化物、形成于保护层(31)上的正极合剂层(32)。保护层(31)的厚度为1μm～5μm，包含氧化能力比含锂过渡金属氧化物低的无机化合物、和导电材料。
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