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公开(公告)号：CN1112675C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN1141700C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。
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公开(公告)号：CN1148234A
公开(公告)日：1997-04-23
申请号：CN96111903.9
申请日：1996-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , G11C11/14
Abstract: 用小磁场显示大磁阻变化的磁阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板1上设置半导体膜2，在半导体膜2上设置半导体膜3，在半导体膜3上设置非磁性金属膜4，非磁性金属膜4上设有良好方型磁化曲线的磁性膜5，在基板1下设置电极6，在磁性膜7上设置电极7。将激光照射到半导体膜2上，在半导体膜3中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜5的界面处电子散射依赖于磁性膜5的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
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公开(公告)号：CN1121252A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN1221947C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01109991.7
申请日：2001-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应装置，包括：一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；一非磁性层；和一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，其中该被钉扎层包括：一用于交换耦合的第一非磁性膜；和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1383166A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体,在上述微粒(30)的表面上,形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31),在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33),在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34),使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此,可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外,在应用于磁性粒子的情况下,可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体,可以实现高密度磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN1230744A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜,其包括铁磁层和锁定层,所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向,该锁定层包括(AB)2Ox层,其中O代表氧原子;2.8
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公开(公告)号：CN1217529A
公开(公告)日：1999-05-26
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括:一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层;此磁旋抑制层包括一Fe－M－O层(其中M’=Al,Ti,Co,Mn,Cr,Ni或V)。
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公开(公告)号：CN1142541C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN97126174.1
申请日：1997-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3951 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁致电阻器件包括：至少两个其间夹有非磁性层而堆叠的磁性层；和形成传导电子的金属反射层，与磁性层的最外两层中至少之一接触。金属反射层与最外磁性层的一个表面接触，该表面与最外磁性层的与非磁性层接触的另一表面相反。在保持电子的自旋方向时金属反射层易于反射传导电子。
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公开(公告)号：CN1130693C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN96111903.9
申请日：1996-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , G11C11/14
Abstract: 用小磁场显示大磁电阻变化的磁电阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板(1)上设置半导体膜(2)，在半导体膜(2)上设置半导体膜(3)，在半导体膜(3)上设置非磁性金属膜(4)。非磁性金属膜(4)上设有良好方型磁化曲线的磁性膜(5)。在基板(1)下设置电极(6)，在磁性膜(7)上设置电极。将激光照射到半导体膜(2)上，在半导体膜(3)中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜(5)的界面处电子散射依赖于磁性膜(5)的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
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