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公开(公告)号：CN1976074A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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公开(公告)号：CN1941444A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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公开(公告)号：CN1835252A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510108290.2
申请日：2005-10-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 在把含高浓度p型掺杂物的接触层作为最上层的半导体发光元件中，获得除了有效抑制来自上述接触层的掺杂物扩散、且是高亮度而且低驱动电压之外，在驱动半导体发光元件方面，还能预防出现时效性的发光输出降低以及驱动电压上升的结构。提供一种半导体发光元件，它在半导体基板(1)上结晶生长至少n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)，进而在这些层的最上层上层叠添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂物的As系接触层(7)，进而在其上形成由ITO膜(8)组成的电流分散层；在所述接触层(7)和p型包层(5)之间，设置由作为V族元素包含磷、而且对于所述半导体基板(1)结晶的晶格不匹配率在±0.3％以内的III－V族半导体构成的缓冲层6。
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公开(公告)号：CN1103512A
公开(公告)日：1995-06-07
申请号：CN94107697.0
申请日：1994-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种发光二极管，具有限定为发光部分的双杂结构的外延层，该层通过一台面部分与基片相连，在基片与相邻的一外延层之间设置台面部分而形成一空腔层，空腔层中可灌入树脂。还提供了一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：生长出具有高混合晶体比例的-AlGaAs层作为辅助层；在辅助层上生长出以台面部分相连的外延层；溶解除去辅助层以形成空腔层，于是光在一覆盖层与空腔层或灌有树脂的空腔层间的界面上反射，从而提高了光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103305917A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310054997.4
申请日：2013-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）时使V族原料与III族原料的摩尔比（V/III比）为0.5以上3以下。
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公开(公告)号：CN1941444B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102034911A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010225068.1
申请日：2010-07-05
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
IPC: H01L33/10
Abstract: 一种发光元件，包括：半导体衬底；发光部，其具有第一传导类型的第一包覆层、具有传导类型不同于第一包覆层的第二传导类型的第二包覆层以及夹在第一包覆层和第二包覆层之间的有源层；反射部，其用于反射从有源层发出的光，所述反射部设置在半导体衬底和发光部之间并且具有1.7μm至8.0μm的厚度；电流扩散层，其设置在发光部的与反射部相对的一侧上，并且在其表面上具有凹凸部，其中形成反射部以具有至少三个成对的层，所述成对的层是由第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层形成的。
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公开(公告)号：CN100502072C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710182342.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种不会增加活性层的层厚，不会增厚半导体层，不会增大第一电极的面积，电流分散特性就能得到提高的半导体发光元件。其是在具有第一、第二导电型包覆层(2、3)和活性层(4)的半导体发光元件(1)中，在第一导电型包覆层(2)与活性层(4)之间、在活性层(4)与第二导电型包覆层(3)之间，分别设置对上述光线是透明的，且带隙比活性层(4)大，并与活性层晶格匹配的多层膜层(9、10)。
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