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公开(公告)号：CN1235698A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN97199370.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料,其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米,一次颗粒粒径中央值为30～250纳米,颗粒粒径中央值为150～600纳米,颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN1803964B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610000318.5
申请日：1999-12-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/04 , C09G1/02 , C09K13/00 , C23F3/00 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。
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公开(公告)号：CN1935927B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610142509.5
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN101343510A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810212485.5
申请日：2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化，并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号：CN1282226C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN97199370.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为50-500纳米，初级颗粒粒径中央值为50-190纳米，颗粒粒径中央值为200-510纳米，颗粒最大粒径在1430纳米以下。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1161826C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00811963.5
申请日：2000-08-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C09K3/00
Abstract: 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂，及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上，研磨剂的动摩擦系数在0.25以上，研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上，1.5cP以下，研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。
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公开(公告)号：CN1158694C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN99815882.8
申请日：1999-12-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: C09G1/04 , C09G1/02 , C09K13/00 , C23F3/00 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及特别适应于半导体器件装配工序的金属研磨液以及使用该金属研磨液的研磨方法。本发明可提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂的溶解助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂的溶解助剂的金属研磨液材料。
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公开(公告)号：CN1334961A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN99815882.8
申请日：1999-12-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: C09G1/04 , C09G1/02 , C09K13/00 , C23F3/00 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液,其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料,本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。
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公开(公告)号：CN101037586B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200710107442.6
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸性基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，前述酸的铵盐及前述酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的前述研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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