公开(公告)号：CN101484982A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024845.2

申请日：2007-07-03

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 野部茂 ,  筱田隆 ,  樱田刚史 ,  田中孝明 ,  大森义和 ,  木村忠广 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。

公开(公告)号：CN101346805A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049346.4

申请日：2006-12-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 马渕胜美 ,  赤星晴夫 ,  羽广昌信 ,  樱田刚史 ,  野村丰

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液，它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液，它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水，基本上不含磨料；通过使用这种CMP研磨液，可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷，从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量，优选相对于每1升上述CMP研磨液，分别为0.1～5重量％、0.05～5重量％以及0.01～5M，上述pH调整剂的量，为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5～2.5的必需量。

公开(公告)号：CN102633288A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210049512.8

申请日：2007-04-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 樱田刚史 ,  保坂大佑 ,  茅根环司

IPC: C01F17/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C01F17/0043 ,  C01B13/145 ,  C01B13/18 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供氧化物粒子的制造方法、以及将利用该制造方法得到的金属氧化物粒子分散于水性介质而得到的浆料、研磨剂、基板的研磨方法，所述氧化物粒子的制造方法的特征为，包含：将金属的碳酸盐和酸进行混合得到混合物的工序，加热所述混合物来得到金属氧化物的工序，粉碎所述金属氧化物的工序。另外，特别提供包含将碳酸铈用作原料金属碳酸盐、将草酸用作酸而得到的氧化铈粒子的研磨剂。本发明提供可以快速地得到不含粗大粒子和磨耗粉的微粒的氧化物粒子的制造方法。进一步提供一种研磨剂，所述研磨剂采用该氧化物粒子，在维持适当的研磨速度的同时，减少划伤，并且可精密地研磨半导体表面。

公开(公告)号：CN101689494A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023332.4

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。

公开(公告)号：CN101283441A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037661.5

申请日：2006-10-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  大森义和 ,  木村忠广

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。

公开(公告)号：CN101058713A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710107753.2

申请日：2002-10-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  深泽正人 ,  佐佐木晶市

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。

公开(公告)号：CN1610963A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN02826551.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  深泽正人 ,  佐佐木晶市

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。