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公开(公告)号：CN1018851B
公开(公告)日：1992-10-28
申请号：CN90100791.9
申请日：1990-02-17
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶硅生产装置，包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔板和加热器，隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分，内侧是单晶硅生长部分，外侧是材料熔化部分；加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下，并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量；隔板上开有一些小孔。隔板的材料为不透明的石英玻璃。向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。
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公开(公告)号：CN1018001B
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔的隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
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公开(公告)号：CN1051595A
公开(公告)日：1991-05-22
申请号：CN90109125.1
申请日：1990-10-16
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 按照旋转式切克劳斯基(CZ)单晶生长法制造大直径硅单晶的装置，该装置可以提高原料利用率和生产效率。通常引起原料利用率和生产效率恶化的一个重要原因是在隔离元件的近旁点发生熔体凝固，为防止此问题，在熔体弯液面位置的对面设置一个具有特定位置及特定遮蔽宽度的热遮蔽体，借此遮挡来自弯液面位置的热辐射。
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公开(公告)号：CN1034400A
公开(公告)日：1989-08-02
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1016973B
公开(公告)日：1992-06-10
申请号：CN89102980.X
申请日：1989-04-28
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。
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公开(公告)号：CN1015649B
公开(公告)日：1992-02-26
申请号：CN87101952
申请日：1987-03-13
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
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公开(公告)号：CN1046360A
公开(公告)日：1990-10-24
申请号：CN90102476.7
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02
Abstract: 引上法制造硅单晶的设备，包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体，箱体内部安装一个转筒，转筒外圆表面上有多个能截住颗粒原料的部件，在转筒上方装置一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径，且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒外圆表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。
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公开(公告)号：CN87101952A
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：CN87101952
申请日：1987-03-13
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/22
Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
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