公开(公告)号：CN1055965A

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN91102343.7

申请日：1991-03-20

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  荒木健治 ,  岛芳延 ,  钤木真 ,  兼头武 ,  中滨泰光 ,  钤木威 ,  藤林晃夫

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14

Abstract: 一种利用切克劳斯基单晶生长法的大直径单晶制造装置，在保温罩上部设置适当的开口，防止气体介质产生不良影响。开口总面积大于保温罩下端和硅熔液液面之间形成间隙的面积，保温罩和热屏蔽件用金属板构成。

公开(公告)号：CN1051595A

公开(公告)日：1991-05-22

申请号：CN90109125.1

申请日：1990-10-16

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 岛芳延 ,  荒木健治 ,  神尾宽 ,  钤木真

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068

Abstract: 按照旋转式切克劳斯基(CZ)单晶生长法制造大直径硅单晶的装置，该装置可以提高原料利用率和生产效率。通常引起原料利用率和生产效率恶化的一个重要原因是在隔离元件的近旁点发生熔体凝固，为防止此问题，在熔体弯液面位置的对面设置一个具有特定位置及特定遮蔽宽度的热遮蔽体，借此遮挡来自弯液面位置的热辐射。